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本实用新型涉及一种IPD无反射低通滤波器,包括金属导体层,设在所述金属导体层上方的第一硅介质层,设在所述第一硅介质层上方的第二硅介质层,设在所述第二硅介质层上方的电路结构层,设在所述电路结构层上方的硅氧化层及与电路结构层连通的电阻,其中所述电路结构层包括彼此互相导通的输入端,输出端,第一接地端,第二接地端及第三接地端,所述电路结构层上连接有第一电感,第二电感及第三电感,所述硅氧化层包括第一电容,第二电容及第三电容,所述电阻包括第一电阻,第二电阻,第三电阻及第四电阻,本实用新型的IPD无反射低通滤波器具有高性价比,小尺寸,温度稳定性好带外无反射,性能高,适合批量生产.