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高压侧晶体管
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本发明提供了一种高压晶体管的制作方法,通过在其高压阱上方一次形成相互分离的第一虚拟栅极,第二虚拟栅极,工作栅极,可以省略在硅衬底有源区专门形成金属硅化物阻挡层的工艺步骤;进行离子注入形成高压晶体管的源,漏前,需在整个硅衬底上形成图形化光刻胶,当第一虚拟栅极,第二虚拟栅极与工作栅极的间隙较小时,相邻栅极之间的侧壁构成足够厚的层,此时相邻栅极之间可以不用覆盖光刻胶,直接以高压阱上相邻的栅极及相邻栅极之间的侧墙为掩膜在该区域实现自对准离子注入,简化了形成图形化光刻胶前制作掩膜版的工艺.基于所述制作方法,本发明还提供了一种高压晶体管.

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