单栅逻辑器件
单栅逻辑器件
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本发明提供了一种嵌入式闪存器件.栅叠件包括布置在浮栅上方的控制栅极.擦除栅极布置为与栅叠件的第一侧相邻.字线布置为与第一侧相对的栅叠件的第二侧相邻.字线包括相较于字线的顶面显示出降低的高度且位于字线中与栅叠件相对的一侧上的字线横档.多晶硅逻辑栅极的顶面基本与字线横档齐平.ILD层布置在栅叠件,擦除栅极,多晶硅逻辑栅极和字线上方.接触件延伸穿过ILD层.本发明还提供了用于制造嵌入式闪存器件的方法.
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