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本发明属于集成电路技术领域,具体为一种多端口寄存器堆存储单元.本发明的存储单元由8个NMOS管和2个PMOS管构成,其中,4个NMOS管和2个PMOS管构成耦合反相器,用于存储数据,另外4个NMOS管为读写晶体管,其布局布线方式为:对应于所述寄存器堆存储单元的具有N阱,多晶硅层,有源区层,CT和M1的版图;该寄存器堆单元具有上下对称和左右对称的结构;耦合反相器的6个晶体管采用2条多晶硅栅,极大地减小了由于制造偏差引起的晶体管的不对称,增加了噪声容限;两个PMOS管共用漏端有源区,四个NMOS管和四个写晶体管共用源端有源区,减小了通孔数目,极大地缩小了单元的面积.