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沟槽栅极
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到目前为止，所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成—个前文所述的JFET结构，以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT的设计目标是保持载流子浓度均匀分布，最好是逐步增加，这样可以进一步降低通态损耗，而不会影响拖尾电流和关断损耗，从而导致沟槽型栅极结构的出现。

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