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随着科学技术的发展,磁场传感器已经成为当今社会生活中非常重要的一部分。而在众多磁场传感器中,AMR效应磁场传感器由于具有灵敏度较高,制备工艺简单,便于集成化且成本较低等优点,成为目前磁场传感器研究的热门。本文研究了以AMR效应为基础的磁场传感器。首先探究了具有AMR效应的磁阻薄膜的制备工艺。本文选择采用磁控溅射方法在表面有300nmSiO_2的硅基片上,以Ta/NiFe/Ta三层结构制备磁阻薄膜,其中第一层Ta作为缓冲层,在硅基片上为NiFe薄膜的生长提供良好的基底,第二层的NiFe薄膜为AMR效应的核心功能薄膜,NiFe薄膜质量的好坏直接影响整个磁阻薄膜的AMR性能,第三层Ta作为磁阻薄膜的保护层,保护磁阻薄膜不受外界氧化和破坏。