产品分类

本发明提出了MOSFET及制备方法,电子设备,车辆.该MOSFET包括:衬底,所述衬底是由SiC形成的;漂移层,所述漂移层设置在所述衬底上;栅槽,所述栅槽设置在所述漂移层中;栅极氧化层,所述栅极氧化层设置在所述栅槽的底面以及侧壁上;栅极,所述栅极填充在所述栅槽中,所述栅极设置在所述栅极氧化层远离所述飘移层的一侧;源极区以及接触区,所述源极区以及所述接触区设置在所述漂移层的顶部,所述源极区以及所述接触区位于所述栅槽的一侧,所述源极区靠近所述栅槽设置;阱区,所述阱区设置在所述漂移层中,且位于所述源极区以及所述接触区下方;以及漏极,所述漏极设置在所述衬底下方.由此,可以提高器件沟道迁移率,保护栅极氧化层.