产品分类

本实用新型提供一种互连结构及半导体器件,所述互连结构包括:基底,第一层间介质层,位于基底上,且第一层间介质层内具有第一金属层,第二层间介质层,覆盖第一层间介质层和第一金属层,且第二层间介质层内形成有第二凹槽,第二凹槽暴露出部分第一金属层,第二阻挡层,形成于第二凹槽的侧壁及底部,且第二阻挡层的材质包含钽化钌;第二金属层,填充于第二凹槽内.在第二凹槽的侧壁及底部形成有第二阻挡层,且第二阻挡层的材质包含钽化钌,从而使得后续形成的第二金属层的浸润性更好.并且,第一金属层内形成有凹陷,使得通孔的底部呈弧形,增大了通孔电流的横截面积,从而减小通孔的接触电阻,增加抗电子迁移能力.