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静电吸盘
静电吸盘
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ETCH过程中,wafer需要固定在chamber底部,早期的wafer是靠物理方法固定,即机械夹具,后来随着制程的不断进步,渐渐被静电吸盘(ESC:Electro-Static-Chuck)替代,同时ESC还作为下电极。 静电吸盘的基本原理是异向电荷之间相互吸引,即wafer与electron之间通过不同种电荷之间的库仑力相互吸引,使wafer稳定在电极上。从结构上可分为:单极型和双极型,从静电吸盘材料上可分为库仑力型和迥斯热背型。 单极型静电吸盘,wafer从plasma中获取电荷,电极通电产生异向电荷,从而产生吸附。