您现在的位置： 首页 > 标签 > 典型漏源导通电阻
典型漏源导通电阻
典型漏源导通电阻
相关文章 : 1篇 浏览 : 18次

F20S60C3是日本新电元公司推出的一款工业级N沟道金属氧化物半导体场效应管，相比于P沟道MOS管，拥有更小的导通电阻。最大漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为600.0V，最大漏极持续电流（DC）Id为20.0A，体积小巧同时适合大规模批量生产，是中大功率电源类应用的理想选择。具有高电压，高切换速度，低导通电阻的特点。可应用于负载/电源开关，继电器驱动，驱动器等应用。

东芝推出10款适用于工业设备开关电源的新一代80V N沟道功率MOSFET
东芝推出10款适用于工业设备开关电源的新一代80V N沟道功率MOSFET
　　东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了10款适用于工业设备开关电源的新一代80 V N沟道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”产品。共提供三种类型的封装： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用双列直插式封装TO-220； “TK2R4A08QM、 TK......
DC-D... 典型漏源... 电机驱动...
2021-05-06
18
推荐产品
系统默认图标
MOS1CT52A101J
品牌:KOA
类别：色环电阻
系统默认图标
2108610-5
品牌:泰科/安普
类别：RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
CD4017BE
CD4017BE
品牌:TI
类别：驱动器/收发器/接收器/控制器
系统默认图标
S10451
品牌:SWITCHCRAFT
类别：其他连接器
系统默认图标
BD60GC0WEFJ-E2
品牌:罗姆
类别：稳压器
列表栏目
基于ML2035低频正弦信号发生器的设计方案
工业控制
基于ML2035低频正弦信号发生器的设计...
选择正确的Kona KA1-MV10405M1 KA1-2010498F1连接器以确保极端环境中的高电流电源完整性
电源管理
选择正确的Kona KA1-MV1040...
为什么定制电子系统外壳修改很重要（以及如何设计它们Hammond Manufacturing 1554/1555系列）
工业控制
为什么定制电子系统外壳修改很重要（以及如...
基于51单片机的正弦信号发生器的设计方案
工业控制
基于51单片机的正弦信号发生器的设计方案...
了解并最小化抖动对高速链路的影响（AK2A/AK3A系列晶体振荡器）
无线互联
了解并最小化抖动对高速链路的影响（AK2...
相关标签
新能源 锂电池 TI ARM MCU 展讯 LTE芯... 智能手表 双照相机 AM43... ARM ... 人工智能 智能语音 芯片 三星 半导体 半导体激... ISL2... 电子元器... 元器件 电子元器... STM3... 定时器 看门狗 电子元器... 指纹识别 STM3... 音频芯片 深圳国际... ICZO... ELEX... 防盗器 802.... 射频微波 摄像头 海思