TNY275PN
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1脚:致能/电压偏低检测(EN/UV)2脚:桥接/多功能(BP/M)3脚:空置4脚:漏极(D)5、6、7、8脚相连:源极(S)。 使用单晶硅晶圆(或III-V族,如砷化镓)用作基层,然后使用光刻、掺杂、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件,再利用薄膜和CMP技术制成导线,如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量,导线可分为铝工艺和铜工艺。
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