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SiC Devices
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意法半导体的碳化硅器件包括STPOWERSiC MOSFET（具有650 - 1700 V电压范围、业界最高的200 °C额定结温，可据此作出更有效、简化的设计）和STPOWERSiC二极管（电压范围600 - 1200 V，具有负开关损耗以及比标准硅二极管低15%的前向电压（VF））。

New Rohm Fab Will Add Capacity for SiC Devices
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New Rohm Fab（罗姆半导体集团的新工厂）确实将增加SiC（碳化硅）器件的产能。以下是对此事件的详细解读：一、背景介绍罗姆半导体集团（ROHM Co., Ltd.）是全球著名的半导体厂商之一，成立于1958年，总部位于日本京都市。该公司以“品质第一”为方针，致力于半导体产品的研发、生产和销售，产品涵盖IC、分立元器件、光学元器件、......
SiC ... ROHM
2021-02-26
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