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扇出型晶
扇出型晶
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我们有能力创造一些能保持前代性能并且更好更小的电子设备,例如今天的可穿戴设备、智能手机或平板电脑,这是由于很多因素超过摩尔定律而快速发展,从而能够从底层的嵌入组件发展到今天把它们封装在一起。关于后者,扇出晶圆级封装(FOWLP)正在迅速成为新的芯片和晶圆级封装技术,并被预测会成为下一代紧凑型,高性能的电子设备的基础。 而用常规的倒装芯片WLP方案中I/O端子散布在芯片表面面积,从而限制了I/O连接的数目,FOWLP在一个环氧模制化合物(EMC)中嵌入每个裸片时,每个裸片间的空隙有一个额外的I/O连接点,这样I/O数会更高并且的对硅利用率也有所提高。再分布层(RDLs)由物理气相沉积(PVD)形成,并和随后的电镀以及微影图案,重新规划从裸片上的I/O链接到外围环氧树脂区域的路线。