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增强型氮化镓
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  与传统的Si MOSFET相同，增强型GaN器件也具有栅极、源极和漏极三个电极，属于电压型控制器件。通过在栅极-源极之间施加正电压，使增强型GaN器件的漏极与源极之间感生出高浓度和高电子迁移率的二维电子气沟道，从而实现器件导通。图1给出GaN System公司的增强型GaN器件GS61004B的转移特性与输出特性曲线，均来自官网的数据手册。

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