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铌电解电容
铌电解电容
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铌和钽铝一样其表面可以形成介电氧化膜铌电容器的最大问题是热和电应力对介电氧化膜的破坏造成漏电流增大电容器失效。铌电容器的恶化机理与钽电容器类似是由无定形介电氧化膜的晶化 1 1 作用和阳极介电质的表面脱氧反应造成而膜向金属铌扩散氧的速率远高于膜试验表明在℃退火膜溶解近但膜几乎没有任何影响。另外在铌电容器阳极氧化膜中存在的氧相低价铌氧化物和是导体和半导体造成潜在的漏电流途径。