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LDMOS结构
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新型抗总剂量辐照高压LDMOS结构
新型抗总剂量辐照高压LDMOS结构
一、问题主体与用户需求分析核心问题总剂量辐照失效：高压LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）在空间或核辐射环境中，总剂量辐照（TID）导致氧化层陷阱电荷和界面态积累，引发阈值电压漂移（如从+2V漂移至-1V）、漏电增加（如关态漏电流从1nA增至1μA）和击穿电压下降（如从600V降至400V）。高压与抗辐照矛盾：传统抗辐照结构（如环栅、H......
LDMO...
2020-09-09
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