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2024-02-02
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2024-02-02
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2024-01-31
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onsemi NTJD5121N/NVJD5121N双N-Ch功率mosfet具有较低的RDS(on)、栅极阈值和输入电容。onsemi NTJD5121N/NVJD5121N mosfet具有60V漏源电压和295A最大连续漏极电流。NTJD5121N/NVJD5121N具有AEC-Q101认证和PPAP功能，是汽车应用的理想选择。特性......
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2024-01-30
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onsemi NTMYS003N n沟道功率MOSFET专为紧凑高效的设计而设计，采用5mm x 6mm LFPAK封装。该功率MOSFET具有低R(DS(ON))，低Q(G)和电容，80V漏源电压，±20V栅源电压，-55°C至175°C工作结和存储温度范围。NTMYS003N n沟道功率MOSFET无铅，符合RoHS标准。典型应用包括......
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2024-01-29
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Littelfuse/IXYS MXB12R600DPHFC 600V x2级硅MOSFET升压转换器的介绍、特性、及应用
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Littelfuse/IXYS的MXB12R600DPHFC x2级Si MOSFET是一款600 V, 160毫欧， 18a升压转换器，将x2级n通道超结功率MOSFET与高性能快速恢复二极管结合在一起，集成到dcb隔离的i4-PAC 封装中。这种分立、隔离封装中的集成升压拓扑通过减少所需分立功率元件的数量，有助于简化热管理。由于内置H......
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2024-01-29
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YAGEO XSemi N沟道和p沟道功率mosfet的介绍、特性、及应用
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MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种使用金属氧化物栅极的电压控制场效应晶体管。YAGEO XSemi的功率mosfet(也称为功率晶体管)具有低导通电阻和高开关速度，适用于各种应用，包括模拟和数字电路。可用的封装广泛用于商业和工业表面贴装应用。与bjt不同，mosfet与载流通道是电隔离的，有助于降低器件的功耗。mosfet......
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2024-01-29
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IXYS IXTY2P50PA系列PolarP p沟道功率MOSFET的介绍、特性、及应用
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IXYS的IXTY2P50PA是一款符合aec - q101标准的PPAP， -500 V， -2 A, PolarP p通道增强模式功率MOSFET，采用TO-252 (DPAK)封装。它使用Polar技术平台，导致导通状态电阻(R(DS(ON))， max = 4.2 欧姆)和栅极电荷(Q(g) = 11.9 nC)显著降低。p沟道M......
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2024-01-29
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如何使用SSR(AQY2C1R3PZ和AQY221N2TY PhotoMOS继电器)打造可靠、快速切换、低损耗的半导体自动测试设备
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　　作者：Jens Wallmann　　集成电路(IC)的需求比以往任何时候都更大，因为它们可以降低硬件开发成本，促进电子设备的小型化，并提供广泛的功能。为了确保大批量生产的质量，半导体制造商需要可靠且紧凑的自动化测试设备 (ATE)，该设备能够以低信号电平和高信号电平以及最小损耗快速切换高频交流和直流电流。　　基于光伏 MOSFET ......
半导体自... Phot... 固态继电...
2024-01-26
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英飞凌凌CoolSiC 汽车用750V G1 SiC沟槽mosfet可帮助电动汽车制造商打造11kW和22kW双向车载充电器，提高效率、功率密度和可靠性。这些器件在高温(T(j,max) +175°C)下可靠地工作，具有英飞凌的专有技术。XT模具贴附技术，在同等尺寸的模具上实现最佳的热阻抗。CoolSiC 750V G1技术提供非常高的鲁......
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2024-01-25
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意法半导体STEVAL-LVLP01电机控制发现套件(STDRIVE101三相栅极驱动器和STL8N10F7功率mosfet)的介绍、特性、及应用
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意法半导体STEVAL-LVLP01电机控制发现套件基于STDRIVE101三相栅极驱动器和STL8N10F7功率mosfet，嵌入了用于驱动三相无刷直流电机的电源级和电路。使用B-G473E-ZEST1S，用户可以在STM32微控制器上启用ZeST和HSO算法。STEVAL-LVLP01套件支持单分流或三分流操作。用于板载电机定位反馈和......
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2024-01-24
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MSC400SMA330是Microchip的SiC MOSFET器件家族的一部分。Microchip的SiC解决方案专注于高性能，有助于最大限度地提高系统效率，最小化系统重量和尺寸。Microchip经过验证的SiC可靠性也确保了终端设备在使用寿命期间不会出现性能下降。特性低电容和低栅极电荷内部栅极电阻(ESR)低，开关速度快在高结温下......
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2024-01-23
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ROHM Semiconductor RQ3L060BG功率MOSFET的介绍、特性、及应用
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2024-01-22
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onsemi NVMFWS003N10MC单n沟道功率mosfet在10V R(DS(ON))和100V漏源电压下提供169A连续漏极电流3.1毫欧。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm平面引线封装，设计紧凑高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能，是汽车应用的理想选择。特性占地面积小(5......
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2024-01-22
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MCBS高电流工业强度mosfet是n沟道mosfet，可为工业设计提供生产力和可持续性的结合。MCBS2x组件有100V和40V两种选择，采用to -263-7封装，可满足各种工业设备和系统的高温、高功率需求。这些mosfet在高达+175°C的结温下提供可靠的性能，采用低外形，超低2毫欧 R(DS(on))和分栅沟槽(SGT)技术。其......
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2024-01-22
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英飞凌CoolSiC 汽车1200V G1 SiC沟槽mosfet的介绍、特性、及应用
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2024-01-22
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2024-01-19
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2024-01-19
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2024-01-19
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摘要内容一、TTL电路的基本原理TTL（Transistor-Transistor Logic）电路是一种数字逻辑家族，由晶体管构成。它以低功耗、高速度和可靠性而闻名于世。TTL电路的基本原理是利用晶体管作为开关来实现逻辑功能。TTL电路采用了双极型晶体管，其中NPN型和PNP型晶体管组合在一起，形成了一个双极型集成电路。这种结构使得TT......
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2023-11-10
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