原标题：TPA31xxDx Bootstrap Circuit

在大多数开关应用中，自举电路被广泛用于驱动高端金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。这种自举电路技术具有简单和低成本的优点。连接在BSxx引脚和相应输出引脚之间的自举电容, 其功能是高侧N通道功率MOSFET栅驱动电路的浮动电源。在每个高侧开关周期中，自举电容保持门栅极-源极电压足够高，以保持高侧多个MOSFET开启。

本篇应用说明的目的是详细演示自举电路如何在TP31xxDx设备上工作，该种设备都是高性能、D级、且带有音频放大器和用户必须注意的应用注意事项。

P通道MOSFET (PMOS)通常比具有相同RDS(on)的NMOS大约大3倍。为了减少芯片面积，用NMOS代替高侧PMOS器件。其中的全NMOS输出级需要一个自举电源来驱动高侧栅驱动器。当输出低时，自举二极管前向偏置，从GVDD给自举电容充电。自举电容器将自举节点固定在OUT+ GVDD处。而当输出变高时，自举二极管反向偏置。这样过程制造出了一种用于高边栅极驱动器的浮动电源。

自举电路在高压栅极驱动器中是有用的，如下列方式运行。当“OUT”被拉到地面（低侧开关打开，高侧开关关闭）时，自举电容器从GVDD电源通过自举二极管充电，如图1所示。当高侧开关接通而低侧开关断开时，OUT被拉到PVCC端，此时自举二极管反转偏置并阻断来自GVDD的轨电压，如图2所示。

下载数据资料：TPA31xxDx-Bootstrap-Circuit.pdf

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