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安森美用于电池储能系统的电源模块解决方案

来源:
2025-09-08
类别:工业控制
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文章创建人 拍明芯城

电池储能系统(BESS)是当今能源转型浪潮中的核心基础设施,其高效、可靠、安全的运行离不开高性能的电源管理解决方案。作为功率半导体领域的领导者,安森美(onsemi)凭借其深厚的技术积累和丰富的产品线,为BESS提供了全方位的电源模块和分立器件解决方案。这些方案不仅覆盖了储能变流器(PCS)中的AC-DC和DC-AC转换,还延伸至DC-DC转换、辅助电源管理、保护电路以及系统控制等多个环节。

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1. 储能系统对电源模块的严苛要求

在深入探讨安森美解决方案之前,我们必须理解BESS对电源模块的核心要求。这些要求构成了安森美产品设计的基石:

  • 高效率: 提高转换效率意味着减少能量损耗,从而最大化储能系统的能量利用率,降低运行成本。

  • 高功率密度: 在有限空间内实现更大的功率输出,有助于缩小设备体积和重量,降低系统集成成本。

  • 高可靠性与长寿命: 储能系统通常运行在严苛的户外环境,需要电源模块具备出色的热管理能力和长期稳定性。

  • 出色的热管理: 功率半导体在高功率运行时会产生大量热量,有效散热是保证器件性能和寿命的关键。

  • 低电磁干扰(EMI): 复杂的电力电子系统容易产生电磁噪声,良好的EMI特性可确保系统稳定运行,并满足相关法规要求。

  • 快速动态响应: 在电网波动或负荷瞬变时,电源模块需要迅速调整输出,以维持系统稳定。

安森美正是基于这些需求,设计并提供了满足甚至超越行业标准的电源模块和分立器件。

2. 核心技术:碳化硅(SiC)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)

在BESS的核心功率转换环节,安森美主要依赖两种关键技术:碳化硅(SiC)绝缘栅双极晶体管(IGBT)。它们各自的特性决定了其在不同功率段和应用中的优势。

  • 碳化硅(SiC)器件: SiC是新一代宽禁带半导体材料,相比传统的硅基器件,其具有更高的耐压、更快的开关速度和更低的高温损耗。

    • 高功率密度: 更高的开关频率意味着可以使用更小尺寸的电感、电容等无源元件,从而实现更高的功率密度。

    • 卓越的热性能: SiC材料的热导率高,能有效散热,允许器件在更高结温下工作,简化了散热设计。

    • 优点: * 超高效率: SiC器件的导通电阻和开关损耗极低,尤其是在高频应用中优势显著。

    • 应用场景: SiC模块主要用于对效率和功率密度要求极高的中高压BESS储能变流器(PCS)以及DC-DC转换器。

    • 典型元器件: 安森美的SiC MOSFET和SiC二极管产品线非常丰富。例如,NTHS5048N_B3A0是一款高性能SiC MOSFET,常用于高效开关电源和逆变器。其低Rds(on)和低Qg特性使其在高频应用中表现出色。NXH80B120L2Q0这类SiC模块则将多个SiC器件集成在一个封装内,简化了设计,提高了系统的可靠性。

  • 绝缘栅双极晶体管(IGBT): IGBT是一种兼具MOSFET和双极型晶体管优点的复合型全控型电压驱动器件。

    • 成熟可靠: IGBT技术经过多年发展,成本相对较低,供应链成熟。

    • 优点: * 高耐压、大电流能力: 尤其适用于大功率应用。

    • 应用场景: IGBT模块常用于功率等级更高的BESS储能变流器,特别是在对成本敏感、且开关频率要求相对较低的应用中。

    • 典型元器件: 安森美的IGBT模块,如NXH160B120L2C2系列,专为太阳能逆变器和储能系统设计。该模块集成了IGBT和续流二极管,优化了封装和布局,以实现更低的热阻和更高的功率循环能力。选择这类模块的原因在于其出色的短路耐受时间低Vce(sat),这些特性对于系统的安全和效率至关重要。

3. BESS电源模块解决方案中的关键元器件

一个完整的BESS电源模块解决方案远不止核心开关器件。它是一个复杂的生态系统,包含了栅极驱动器、保护电路、辅助电源、传感器等多个环节。安森美提供了全套的配套元器件。

  • 栅极驱动器(Gate Drivers): * 作用: 栅极驱动器是功率开关器件(如SiC MOSFET和IGBT)的“大脑”。它将控制信号转换为驱动功率器件开关所需的电压和电流,确保器件快速、可靠地导通和关断。

    • 高电流驱动能力: 确保SiC MOSFET的快速开关,降低开关损耗。

    • 隔离功能: 采用光耦或电容隔离技术,将控制侧的低压信号与高压功率侧隔离,保护控制系统。

    • 保护功能: 集成短路保护(DESAT)、**欠压锁定(UVLO)米勒钳位(Miller Clamp)**等功能,防止器件在异常情况下损坏。

    • 高速性能: 极短的传播延迟,确保精确的开关时序。

    • 为什么选择安森美? 安森美的栅极驱动器,如NCD90011系列,针对SiC和IGBT器件进行了优化。这些驱动器通常具备以下关键功能:

  • 辅助电源管理(Auxiliary Power): * 作用: 为栅极驱动器、控制板、传感器和风扇等提供稳定的直流电源。

    • 为什么选择安森美? 安森美的NCP1086系列等集成式开关电源IC,简化了辅助电源的设计。这些器件通常具备宽输入电压范围、高效率和各种保护功能,如过温保护和过流保护,确保系统辅助部分的稳定。

  • 保护与监控元器件: * 作用: 保护系统免受过流、过压、过热等异常情况的损害,并实时监控系统状态。

    • 电流和电压传感器: 安森美的NCS3332等精密运放,可用于构建高精度的电流和电压采样电路,为系统控制提供准确数据。

    • 热敏电阻和温度传感器: 用于实时监测功率模块的温度,配合风扇或水冷系统进行有效散热控制。

    • 为什么选择安森美? * TVS二极管和ESD保护器件:NUP4110,用于吸收瞬态过压,保护敏感的控制电路。

  • 超低压降肖特基二极管(Schottky Diodes): * 作用: 在辅助电源的整流和开关稳压器中,肖特基二极管凭借其低正向压降和快速恢复特性,能够有效提高整流效率。

    • 为什么选择安森美? 安森美的肖特基二极管如MBR1045系列,具有极低的导通压降,能够减少传导损耗,在高频开关应用中表现出色。

4. 封装技术:模块化与集成化

安森美深知封装技术对系统性能的重要性。其BESS电源模块采用了多种先进封装技术,以优化热管理、降低寄生参数和提高功率密度。

  • 压接(Press-fit)封装: 这种封装技术允许模块直接通过压力与PCB连接,无需焊接,简化了组装过程,并提高了可靠性。

  • SiC模块封装: 针对SiC器件的特殊需求,安森美开发了低杂散电感封装,如双面散热模块(Double-Sided Cooling)。这种设计能最大化散热面积,有效降低热阻,从而允许更高的功率输出。

  • 热沉设计: 安森美提供带有集成热沉的电源模块,如NXH80B120L2Q0,简化了系统层面的热管理设计。

5. 总结

安森美在电池储能系统电源模块解决方案中的优势在于其完整的产品线和深入的技术理解。通过提供从核心SiC/IGBT模块到配套栅极驱动器、辅助电源IC和保护元器件的一站式解决方案,安森美能够帮助客户快速、高效地开发出高效率、高功率密度、高可靠性的BESS。

未来,随着BESS应用场景的不断扩展,安森美将继续聚焦于SiC技术的创新,并开发更高功率密度、更智能化的电源模块,以满足不断演进的市场需求。例如,通过集成更多保护和传感功能到模块内部,进一步简化客户的设计,并提升系统的整体性能和可靠性。

责任编辑:David

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