光敏传感器型号众多，不同型号在参数、特性等方面存在差异，以下从常见类型角度为你介绍其型号参数：

光敏电阻

• 型号示例：GL5516、GL5528、MG45等。

• 主要参数

• 亮电阻（RL）：在规定光照条件下，光敏电阻的阻值。例如GL5516在10Lux光照下，亮电阻典型值为10 - 20kΩ。亮电阻越小，说明光敏电阻对光的敏感度越高，在光照下能更快地降低阻值。

• 暗电阻（RD）：在无光照条件下，光敏电阻的阻值。GL5516的暗电阻典型值为1MΩ。暗电阻越大，表示光敏电阻在黑暗环境中的绝缘性能越好，能更有效地隔离电流。

• 光谱响应：指光敏电阻对不同波长光的响应程度。通常以光谱响应曲线表示，不同型号的光敏电阻有不同的光谱响应范围。例如，某些光敏电阻对可见光有较好的响应，而有些则对红外光更敏感。

• 响应时间：包括上升时间和下降时间。上升时间是指从无光照到有光照时，光敏电阻阻值从暗电阻值变化到亮电阻值的90%所需的时间；下降时间则相反。GL5516的上升时间约为20ms，下降时间约为30ms。响应时间越短，光敏电阻对光照变化的响应越快。

光敏二极管

• 型号示例：1N4148（部分也可作光敏用途）、BPW34等。

• 主要参数

• 暗电流（ID）：在无光照条件下，光敏二极管产生的反向电流。BPW34的暗电流典型值为1nA（在反向电压为5V时）。暗电流越小，说明光敏二极管在黑暗环境中的漏电流越小，性能越稳定。

• 光电流（IL）：在规定光照条件下，光敏二极管产生的反向电流。BPW34在光照强度为1000Lux时，光电流典型值为50μA（反向电压为5V）。光电流越大，表示光敏二极管对光的响应越灵敏。

• 光谱响应范围：不同型号的光敏二极管对不同波长光的响应不同。BPW34的光谱响应范围为400 - 1100nm，在可见光和近红外光区域有较好的响应。

• 响应速度：通常用上升时间和下降时间来衡量。BPW34的上升时间约为5μs，下降时间约为6μs。响应速度越快，光敏二极管越适合用于高速光信号检测。

光敏三极管

• 型号示例：3DU5C、3DU33等。

• 主要参数

• 电流放大倍数（hFE）：指光敏三极管的集电极电流与基极电流之比。3DU5C的电流放大倍数在光照条件下通常在几十到几百之间。电流放大倍数越大，光敏三极管对光信号的放大能力越强。

• 暗电流（ICBO）：在无光照且基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流。3DU5C的暗电流典型值为0.1μA（在集电极 - 发射极电压为10V时）。暗电流越小，光敏三极管在黑暗环境中的性能越稳定。

• 光电流（ICEO）：在规定光照条件下，集电极与发射极之间的电流。3DU5C在光照强度为1000Lux时，光电流可达几毫安。光电流越大，说明光敏三极管对光的响应越灵敏。

• 光谱响应范围：与光敏二极管类似，不同型号的光敏三极管有不同的光谱响应范围。3DU5C的光谱响应范围较宽，对可见光和近红外光都有较好的响应。

光电池

• 型号示例：2CR系列（如2CR5）、硅光电池等。

• 主要参数

• 开路电压（Voc）：在无负载条件下，光电池产生的电压。硅光电池在标准光照条件下（100mW/cm²），开路电压约为0.5 - 0.6V。开路电压越高，光电池将光能转化为电能的能力越强。

• 短路电流（Isc）：在负载电阻为零时，光电池产生的电流。硅光电池在标准光照条件下，短路电流可达几十毫安。短路电流越大，说明光电池对光的响应越灵敏，输出能力越强。

• 填充因子（FF）：是衡量光电池性能的一个重要参数，它反映了光电池将光能转化为电能的实际效率。填充因子越高，光电池的性能越好。

• 转换效率：指光电池将光能转化为电能的效率。目前商用硅光电池的转换效率一般在15% - 20%左右。转换效率越高，光电池的发电能力越强。