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基于OB2263的12W电源环路设计方案

来源:
2025-06-04
类别:电源管理
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文章创建人 拍明芯城

一、设计概述

在当今智能家居、通信终端及小型便携设备中,12W左右的开关电源凭借其高效率、体积紧凑和低成本等优势得到了广泛应用。基于OB2263的12W电源环路设计方案,以其高集成度、低待机功耗和丰富的保护功能,能够满足高性能与高可靠性的要求。本文将详细介绍该设计方案中各主要元器件的型号、功能及选型理由,以供工程人员在实际开发时参考。

12W电源的设计需兼顾EMI性能、稳压精度、负载调整率和温度特性等。基于OB2263的一次性顶端驱动单片方案,集成了高压启动电路、PWM振荡器、过流保护、过热保护、欠压锁定等模块。通过合理选择外围元件,可构建一款低成本、高可靠性且易于维护的AC-DC电源适配器。本文从设计需求出发,通过对OB2263芯片特性分析,搭建电路拓扑,选择合适的关键元器件,深入探讨设计细节与调试方法,以期帮助开发者快速完成产品开发。

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二、OB2263芯片简介

OB2263是芯海科技推出的一款低功率开关电源控制芯片,集成高压启动电路及PWM控制器,采用TOP(Tornado Power)架构,工作频率可在约60kHz至80kHz之间自动调整,优化变压器体积与效率。其内置700V耐压功率MOSFET、可编程电流限制、电压补偿及软启动电路,为一次性开关电源设计提供了简洁、高效的解决方案。

OB2263芯片主要功能包括:

  1. 内置高压启动电路,可直接连接至BUS插座,无需额外启动电阻或成本高昂的待机控制芯片;

  2. PWM振荡器电路,频率可通过外部电阻/电容设定;

  3. 过流保护与脉冲跳频技术,在过载或短路时具备优良的保护能力,并能减小电源EMI;

  4. 过热保护及欠压锁定功能,保证电源在异常温度和输入电压环境下安全可靠;

  5. 输出补偿及误差放大器接口,通过次级侧反馈实现高精度稳压与快速动态响应。

选用OB2263的主要理由如下:

  1. 集成700V耐压MOSFET,省去外部MOSFET成本,简化PCB布局;

  2. 待机功耗低于100mW,可满足能效法规要求;

  3. TOP架构在轻负载和满载条件下均能保持较高效率;

  4. 内置多重保护功能,提高整机可靠性;

  5. 丰富的外围可调参数,设计灵活性强,满足不同应用需求。

三、电路拓扑与工作原理

本设计采用一次性TOP架构,将OB2263芯片直接连接到高压直流母线上,通过内置功率MOSFET驱动变压器一次绕组。当市电交流接入后,经整流滤波形成约310V直流电压,并经输入滤波后供给OB2263芯片与功率开关管。芯片内部启动时,高压管导通,输出开启振荡;变压器将高压直流转换为所需的输出电压,通过次级整流与滤波生成稳定的12V输出。

变压器次级侧通过光耦结合TL431基准反馈,向OB2263的FB脚提供反馈信号。芯片通过调整占空比实现精确稳压。输出整流采用肖特基二极管及LC滤波,保证输出纹波小于100mV。为满足EMI要求,在输入端配置共模电感与差模电容,同时在输出侧配置磁珠及电容抑制高频噪声。

在过流保护方面,OB2263通过检测功率MOSFET电流实现峰值限流。当负载超过设定阈值时,芯片限流脉冲宽度;若故障持续,芯片进入保护定时关断状态。过温保护当芯片内部温度超过设定值时自动关断输出,待温度恢复后重新启动。在浪涌与过压方面,设计中通过输入侧浪涌电阻、NTC限流及MOV防护,大幅提升电源抗干扰能力和使用安全性。

四、主要元器件选型与设计

4.1 OB2263开关控制器芯片

  • 型号:OB2263

  • 器件功能:集成高压启动、PWM控制、过流保护、过压保护、软启动及过温保护等功能,是一次性高压开关电源的核心控制器。

  • 选型理由:OB2263具备集成700V高压MOSFET的优势,无需外置功率管,简化设计;芯片待机功耗低,可满足各种能效等级认证;采用TOP架构,峰值电流可通过外部电阻进行编程;内部过载和过热保护功能完善,提升系统可靠性。

  • 功能说明

    1. 启动功能:内部高压管在电源接通后对输入进行直接拉取启动电流,无需高压启动电阻,大幅降低待机功耗;

    2. PWM控制:通过RT/CT电阻电容设定振荡频率,控制一次侧MOSFET的开关频率及占空比,实现输出功率调节;

    3. 过流检测:CS电阻采样功率管电流,对比内部基准,当电流超过设定值时立即关断开关并启动限流保护;

    4. 过温保护:内部温度传感电路,当温度超过150℃时,芯片关闭输出直到温度恢复;

    5. 反馈调节:FB脚连接次级光耦反馈,通过调节占空比实现输出稳压。

4.2 功率开关管选型

  • 型号:AOZ5192 / S8050(示例),或根据需求选择MOSFET

    • AOZ5192:700V、0.7Ω、45mA栅极电荷增强型MOSFET

    • S8050:不同规格可选,此处示例

  • 器件功能:在OB2263内部集成MOSFET的情况下,若考虑热性能或高功率应用,可外置增强型MOSFET以降低导通损耗,提高效率。

  • 选型理由:AOZ5192耐压700V,导通电阻低至0.7Ω,栅极电荷小,开关损耗低;封装采用TO-220F或TO-252,散热性能好;能够承受峰值反压,适合在高压边工作。

  • 功能说明

    1. 开关变换:MOSFET作为开关元件,在OB2263控制下按PWM信号导通与关断,将输入高压DC变换为脉动能量;

    2. 散热作用:低导通电阻减少导通损耗,同时封装良好的散热设计确保长时间稳定工作;

    3. 保护特性:MOSFET内部二极管可以承受反向电流,外部加入RCD吸收钳位电路可进一步保护元件。

4.3 变压器设计与选型

  • 型号:自制或选用EE16/EI33骨架变压器(视功率需求调整),线材选用高频Enameled Copper Wire 0.2–0.5mm

  • 器件功能:实现一次侧高压DC到次级所需12V的隔离与电能转换;承担隔离、磁储能、能量传递等功能。

  • 选型理由:EE16与EI33骨架结构成熟,磁性能好、成本低;根据12W功率和工作频率(约65kHz),选用适当磁芯材料(如Ferroxube U50)与匝数比设计,保证磁饱和裕量及效率。

  • 功能说明

    1. 匝比设计:一次侧匝数根据饱和磁通密度与工作电压决定,典型设计为一次侧匝数约120T,次级12V输出匝数约20T,辅助绕组用于提供芯片电源与反馈电压;

    2. 漏感与磁滞损耗:通过合理绕制与绞线技术,控制漏感在300nH左右,以减少开关尖峰;磁芯选用低损耗材料,实现高效率;

    3. 绝缘与阻燃:线圈间使用聚酯薄膜或聚酰亚胺胶带绝缘,确保耐压4kV以上;

    4. 结构设计:次级多个引出线集中排布,减少漏感,并在绕组之间添加屏蔽纸分层,进一步降低电容耦合干扰。

4.4 输出整流与滤波元件

  • 肖特基二极管型号:SS14 (1A, 40V, SWIFT) 或 MBR340(3A, 40V)

  • 输出电感型号:LQH3NPNR15R0KLK0L(150µH)(如需更大电流可选220µH)

  • 输出电容型号:Rubycon 16V 220µF 105°C 或 Panasonic FR系列 16V 220µF

  • 器件功能:输出整流二极管将次级变压器输出的交流脉动整流为直流,并由LC滤波网络滤除纹波,提供稳定的12V直流输出。

  • 选型理由:SS14具有低正向压降(约0.5V)、快速恢复特性,适合高频开关电源;若考虑更大的负载余量,可选用MBR340;输出电感与电容选用105°C高温系列,保证在严酷环境下稳定工作;电感选用磁芯损耗低、饱和电流大于2A的型号,避免饱和导致输出失真。

  • 功能说明

    1. 肖特基二极管:低导通电压降低整流损耗,提高输出效率;快速恢复防止反向恢复电流导致EMI;

    2. 输出电感:与电容构成PI滤波,滤除开关频率纹波,减小输出噪声;

    3. 输出电容:提供瞬态电流,与输出电感一起维持输出电压稳定,减少纹波;高品质电解电容保证长寿命。

4.5 反馈与稳压电路元件

  • TL431型号:TL431AH 跨阻运放型可编程精密参考源

  • 光耦隔离器型号:PC817 或 HCPL-817(万级带宽,次级反馈)

  • 反馈电阻型号:Yageo 1%精度 1kΩ、4.7kΩ(示例)

  • 器件功能:TL431与光耦结合实现次级对一次侧的隔离反馈,将输出电压误差转换为光耦驱动信号,反馈至OB2263的FB端,实现精确稳压。

  • 选型理由:TL431AH具有温漂小、基准电压精准(2.495V±1%),在12V输出设计中设计简便;PC817光耦带足够CTR,隔离等级高;反馈电阻选用1%精度金属膜电阻,保证反馈精度;

  • 功能说明

    1. 参考与比较:TL431在电阻分压网络下,当次级输出电压高于设定值时导通,驱动光耦LED;

    2. 光耦隔离:LED光信号被光耦受光二极管接收,通过隔离电流传输至一次侧,避免直接电气连接;

    3. FB调节:光耦集电极连接OB2263 FB脚与VCC,通过调节FB电流改变芯片占空比,实现自动稳压;

    4. 保护作用:当输出过压或断线时,TL431导通异常,OB2263自动限制或关闭输出,保护负载。

4.6 输入部分EMI滤波与防雷浪涌元件

  • 输入共模电感型号:TDK DE20MF-47M-2(47mH)

  • 差模电感型号:Wurth 74477147(共模100µH)

  • X电容型号:Yageo 275VAC X2 0.1µF

  • Y电容型号:Yageo Y2 470pF 250VAC

  • MOV型号:Epcos MOV-14D471K(275VAC)

  • 浪涌限流NTC型号:TDK MZ20/15D-5

  • 熔断器型号:Littelfuse 5x20mm 250VAC 2A慢断熔断器

  • 器件功能:EMI滤波器由共模电感、差模电感与X、Y电容构成,用以滤除来自电网及电源开关噪声,满足EMI标准;MOV和NTC用于抑制浪涌、电涌,熔断器用于输入过流保护。

  • 选型理由

    1. TDK共模电感与Wurth差模电感抢先满足EMI标准;

    2. X2电容与Y2电容具备认证安全级别,耐压高、泄漏低,保证可靠性;

    3. MOV-14D471K峰值能量吸收高达 40J,有效抑制浪涌冲击;

    4. NTC启动时限流至0.5A左右,避免浪涌电流损坏元件;

    5. 熔断器额定2A,可在输入短路或严重故障时及时切断电源,保护后续电路。

  • 功能说明

    1. EMI抑制:共模电感对共模干扰提供高阻抗,X电容与差模电感组合抑制差模干扰;

    2. 浪涌抑制:NTC在常温下有较大阻值,启动时限流;MOV在高压脉冲时导通,将浪涌能量吸收至地;

    3. 过流保护:熔断器在超过额定电流后熔断,保护上游线路。

4.7 PCB连接及过压吸收元件

  • RCD吸收电路

    • 电阻型号:Vishay RC 1kΩ 1W 2512

    • 电容型号:Murata 47pF 2kV 陶瓷电容

    • 二极管型号:BAV99 双向高压快恢复二极管(70V)

  • TVS二极管型号:SMBJ24A (24V单向)

  • 器件功能:在MOSFET关断瞬间,变压器漏感产生的尖峰电压通过RCD电路钳位,保护开关管;TVS二极管用于次级浪涌保护,当输出出现过压瞬间,将瞬态高压钳制在安全范围。

  • 选型理由

    1. 1kΩ功率电阻可承受高能量脉冲且响应速度快;

    2. 47pF陶瓷电容耐压2kV,能够与RCD配合吸收高频尖峰;

    3. BAV99双向二极管快恢复性能优越,可在数十纳秒内完成钳位;

    4. SMBJ24A TVS二极管功率大、响应快,可承受高达600W钳位功率,保护输出侧负载。

  • 功能说明

    1. RCD钳位:开关管关断后,漏感产生电压尖峰,经电阻分压至电容,二极管导通使尖峰电流流入电容并慢慢消散;

    2. TVS保护:当输出电压超出16V以上时,TVS导通,将过压导入地线,保护下游电路。

五、PCB布局与散热考虑

在高频开关电源设计中,合理的PCB布局对电源性能至关重要。针对OB2263设计,布局应遵循以下原则:

  1. 高压与低压部分分区:将输入EMI滤波、整流与开关管区域与低压控制区分开,尽量避免噪声耦合;

  2. 短回路路径:功率回路(MOSFET-变压器-整流二极管-输出电容)走线尽量短且宽,减小寄生电感与电阻;

  3. 散热设计:OB2263芯片及外置MOSFET若产生大量热量,应设计散热铜箔区域,必要时添加散热片;在PCB下层使用充足铜厚度以利导热;

  4. 接地策略:采用单点或多点接地方式,将功率地与信号地分离,控管回流路径,降低噪声对控制回路的干扰;

  5. 反馈回路屏蔽:将TL431与光耦所在区域尽量远离开关噪声源,并在FB引脚附近布局小阻值电阻,稳定反馈信号。

在散热方面,OB2263内部集成功率管具有一定热阻,如工作环境温度高于60℃,需考虑强制风冷或额外散热片;输出肖特基二极管也会产生热量,建议在其底部设计大面积铜箔或散热片接口,以保证长期稳定运行。

六、调试与测试建议

为了保证电源在量产前的性能与可靠性,需进行以下测试与调试:

  1. 空载与满载测试:分别测量输出电压与效率,校准反馈网络,使输出电压维持在12V±0.1V;

  2. 负载动态响应测试:在突变负载条件下测试输出波形,保证负载跳变时输出无明显过冲或下陷;

  3. EMI测试:在典型测试环境中进行EMI辐射与传导测试,优化滤波网络参数,确保满足CE/CCC等认证标准;

  4. 高温老化测试:在60℃环境下满载工作48小时,验证元件温升与长时间稳定性;

  5. 过载与短路保护测试:逐步增加负载至超过设计功率50%,测试过流保护动作;短路输出端,验证短路自动重启或保护定时关断功能是否正常;

  6. 浪涌与耐压测试:对输入端施加AC 300VAC冲击,验证MOV与NTC响应;对变压器次级与初级间施加3000VAC耐压测试,保证绝缘可靠性;

  7. 功率因数测试:使用功率因数测试仪测试整机功率因数,若低于0.5,可考虑增加PFC级或改进输入滤波网络。

在调试过程中,可通过示波器观察MOSFET驱动波形、漏源电压、变压器次级波形以及输出整流后纹波,对反馈环路进行微调,确保系统在各种工作条件下稳定可靠。

七、总结

基于OB2263的12W电源环路设计方案,通过选择合适的芯片及外围元器件,实现了低待机功耗、高转换效率和多重保护功能。OB2263芯片凭借其TOP架构和多重保护功能简化了设计,相对于传统控制方案显著降低了成本和体积。本文详细介绍了各主要元器件的选型理由、功能与设计要点,为工程人员在实际产品开发中提供了参考思路。在今后的优化迭代中,可根据应用场景需求进一步改进变压器结构、优化滤波方案,并结合市场上更高效的半导体器件以提升整体性能。

通过本文所述设计流程与元器件选型原则,读者能够快速搭建并调试一款稳定、高效的12W AC-DC电源适配器,为智能家居、物联网终端、小型工控设备等领域提供可靠电源保障。


责任编辑:David

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标签: OB2263 电源环路

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