用于平板和智能手机的双端口充电器参考设计方案


双端口充电器参考设计方案:平板与智能手机高效快充技术解析
在移动设备普及的今天,平板与智能手机已成为人们日常生活的核心工具。随着设备性能的提升和电池容量的增加,用户对充电效率、兼容性和安全性的需求日益增长。双端口充电器作为解决多设备充电需求的解决方案,其设计需兼顾高功率密度、协议兼容性和安全保护机制。本文基于行业前沿技术,结合典型元器件选型与电路架构,提出一套适用于平板与智能手机的双端口快充参考设计方案,涵盖核心元器件选型、电路拓扑、协议控制及安全设计等关键环节。
一、设计需求与性能指标
1.1 核心需求分析
多设备兼容性:需支持主流快充协议(如USB PD、QC、FCP、SCP等),适配不同品牌平板与手机。
功率分配策略:单口充电时需提供最大功率(如65W),双口同时充电时需动态分配功率(如45W+45W或65W+20W)。
安全与效率:需具备过压、过流、短路保护及高能效(满载效率>93%)。
小型化设计:需适配墙插式充电器,体积控制在标准范围内。
1.2 性能指标
输入范围:85VAC-265VAC(全球通用电压)。
输出规格:
单口:5V/3A、9V/3A、12V/3A、15V/3A、20V/3.25A(65W)。
双口:每口最大45W,总功率90W。
能效要求:满载效率>93%,空载功耗<100mW。
协议支持:USB PD 3.0/PPS、QC 4+/4/3.0、FCP、SCP、AFC、Apple 2.4A等。
二、核心元器件选型与功能解析
2.1 主控芯片:InnoSwitch5-Pro
型号:InnoSwitch5-Pro(PI公司)
功能:集成750V PowiGaN™开关、同步整流控制器和FluxLink™反馈技术。
选型理由:
高频高效:支持225kHz开关频率,减少变压器体积。
低损耗:氮化镓(GaN)技术降低导通电阻(0.2Ω),提升能效。
安全保护:内置滞回式热关断、输出短路保护及输入欠压/过压检测。
协议兼容:通过I2C接口与PD控制芯片通信,实现CV/CC/CP精确控制。
典型应用:
在OPPO 100W双口充电器中,两颗InnoSwitch5-Pro芯片分别驱动两路反激式电源,每路输出45W,实现双口独立快充。
2.2 PD控制芯片:IP2738
型号:IP2738(英集芯科技)
功能:双路协议控制芯片,支持PD 3.0/PPS、QC 4+/4等协议。
选型理由:
动态功率分配:通过I2C接口与主控芯片通信,实现电流共享管理。
多协议支持:兼容主流快充协议,适配不同品牌设备。
保护机制:内置过压、过流、短路保护,确保充电安全。
典型应用:
在90W双口USB PD 3.0充电器中,IP2738通过“或”门电路防止反向电流,确保双口独立工作。
2.3 同步整流芯片:DK5V100R05M
型号:DK5V100R05M(东科)
功能:集成100V功率NMOS管,替代肖特基二极管。
选型理由:
低损耗:导通电阻小,降低整流损耗,提升整机效率。
高集成度:仅需A、K两引脚,简化电路设计。
高可靠性:通过UL认证,适用于工业级应用。
典型应用:
在京东京造18W PD快充中,DK5V100R05M被用于次级整流,提升能效并减少发热。
2.4 升降压控制器:SC8701
型号:SC8701(南芯科技)
功能:同步4开关降压升压控制器,支持2.7V-36V输入/输出范围。
选型理由:
宽电压范围:适配不同输入电压(如12V/20V适配器)。
高效率:驱动器电压10V,优化外部MOSFET效率。
多协议支持:与PD控制芯片配合,实现动态电压调整。
典型应用:
在100W双口超级闪充中,SC8701被用于输出同步整流升降压,确保多设备兼容性。
2.5 氮化镓功率器件:INN650D02
型号:INN650D02(英诺赛科)
功能:650V耐压氮化镓功率芯片,导阻0.2Ω。
选型理由:
高频特性:支持225kHz开关频率,减少变压器体积。
低损耗:导通电阻小,提升能效并降低发热。
高可靠性:支持ESD保护,适用于工业级应用。
典型应用:
在100W双口超级闪充中,INN650D02被用于PFC升压电路,提升能效并减少待机功耗。
三、电路架构与工作原理
3.1 输入整流与EMI滤波
桥式整流器:将交流电转换为脉动直流电(如TBMR810,8A/1000V)。
π型滤波器:由电感和电容组成,抑制差模噪声。
共模扼流圈:减少共模噪声,提升EMC性能。
X电容:安全级X电容(如松田电子产品),降低传导发射。
3.2 PFC升压电路
PFC控制器:如OB6566(昂宝),运行在临界模式,提升功率因数。
升压电感:采用RM8磁芯,严密缠绕胶带绝缘。
高压滤波电容:如艾华RK系列(33μF/400V),确保稳定输出。
3.3 反激式电源电路
主控芯片:如InnoSwitch5-Pro,集成高压GaN开关和同步整流控制器。
变压器:多层绝缘线绕制,外部有塑料框架保护。
同步整流MOSFET:如英飞凌0805LS(7mΩ),降低导通损耗。
3.4 输出滤波与协议控制
固态电容:如柏瑞凯VA系列(470μF/25V),提升输出纹波性能。
协议芯片:如IP2738,通过I2C接口与主控芯片通信,实现动态功率分配。
VBUS控制开关管:如平伟电子D40N30HL,控制输出电压和电流。
四、安全与保护机制
4.1 过压保护(OVP)
齐纳二极管:在输出过压时触发自动重启,防止电压进一步升高。
限流电阻:与齐纳二极管配合,限制过压电流。
4.2 过流保护(OCP)
电流检测电阻:实时监测输出电流,触发保护机制。
协议芯片控制:如IP2738,通过I2C接口与主控芯片通信,实现精确限流。
4.3 短路保护(SCP)
快速响应电路:在输出短路时立即切断电源,防止设备损坏。
自动重启功能:短路解除后自动恢复输出,提升用户体验。
4.4 过温保护(OTP)
NTC热敏电阻:监测充电器温度,触发热关断保护。
滞回式控制:避免温度波动导致的频繁开关。
五、典型应用案例与性能测试
5.1 90W双口USB PD 3.0充电器
设计特点:单口90W,双口45W+45W,效率>93.5%。
测试数据:
输入电压115VAC时,满载效率93.8%。
空载功耗95mW,符合DOE 6和CoC Tier 2能效要求。
输出电压纹波<100mV,符合国家标准。
5.2 100W双口超级闪充
设计特点:单口65W,双口45W+50W,支持PD 3.0/PPS。
测试数据:
温度控制:满载时外壳温度<65℃。
协议兼容性:通过主流设备兼容性测试。
效率曲线:不同负载条件下效率>92%。
六、设计优化与未来趋势
6.1 优化方向
小型化设计:采用高频GaN技术,减少变压器体积。
高集成度:集成降压控制器和协议芯片,简化电路设计。
智能功率分配:根据设备需求动态调整功率,提升充电效率。
6.2 未来趋势
USB PD 3.1:支持更高功率(如240W),适配笔记本电脑等设备。
无线充电集成:双口充电器与无线充电模块结合,提升用户体验。
AI控制:通过机器学习优化功率分配,提升能效和安全性。
七、结论
本文提出的双端口充电器参考设计方案,结合InnoSwitch5-Pro、IP2738、DK5V100R05M等核心元器件,实现了高功率密度、多协议兼容性和安全保护机制。通过实际案例测试,验证了其在效率、兼容性和可靠性方面的优势。未来,随着GaN技术和USB PD 3.1的普及,双端口充电器将进一步向小型化、智能化方向发展,满足用户对高效快充的需求。
责任编辑:David
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