铁电存储器（FRAM）是一种利用铁电材料的极化特性来存储数据的非易失性存储器。以下是铁电存储器的主要类型和一些常见型号：

一、类型

1. 铁电随机存储器（Ferroelectric RAM, FeRAM）

• FeRAM是一种与DRAM结构类似的非易失存储器，其基本结构单元由一个电容器和一个晶体管组成（1T1C），只是用铁电电容器代替了介电电容器。

• 存储原理：基于铁电材料的高介电常数和铁电极化特性，按工作模式可以分为破坏性读出（DRO）和非破坏性读出（NDRO）。

• 优点：高速读写、低功耗、数据非易失性。

2. 铁电场效应晶体管（Ferroelectric FET, FeFET）

• FeFET是在MOSFET的基础上，把栅极SiO2绝缘材料更换为高介电常数的铁电材料得到的。

• 存储原理：通过栅极极化状态（±Pr）实现对来自源-漏电流的调制，从而读出所存储的信息，而无需使栅极的极化状态反转。

• 优点：非破坏性读取、非易失性、高速写入、高耐受度、低功耗。

3. 铁电隧道结（Ferroelectric tunnel junction, FTJ）

• FTJ由几个晶胞厚度的铁电薄膜夹在两个不同的电极中间构成，具有隧穿电致阻变效应。

• 存储原理：通过外加场改变中间超薄铁电层的极化方向，从而引起FTJ电阻的变化。

• 特点：基于忆阻器原理，是一种有记忆功能的非线性电阻器。

二、常见型号

1. FM系列（Ramtron/Cypress）

• 如FM24C02、FM24C04、FM24C64等，这些型号具有不同的存储容量和封装形式。

• Ramtron（后被Cypress收购）是最早成功制造出FeRAM的厂商之一。

2. MB系列（富士通）

• 如MB85RS128T、MB85RS256T等，这些型号同样具有不同的存储容量和特性。

• 富士通也是铁电存储器的重要生产商之一。

3. 其他型号

• 如TOSHIBA与INFINEON合作开发的存储容量达到32Mb的FeRAM，以及Matsushita公司推出的采用0.18μm工艺大批量制造的FeRAM嵌入式系统芯片（SOC）等。

• 这些型号展示了铁电存储器在存储容量、制造工艺和系统集成方面的不断进步。

三、注意事项

• 在选择铁电存储器时，需要根据具体的应用需求（如存储容量、读写速度、功耗、封装形式等）进行权衡和优化。

• 不同厂商和型号的铁电存储器可能具有不同的特性和性能参数，因此在购买和使用前需要仔细查阅相关数据手册和技术文档。

综上所述，铁电存储器具有多种类型和型号可供选择，每种类型和型号都具有其独特的特性和应用场景。在选择时，需要根据具体需求进行综合考虑和评估。