铁电存储器的最高位地址是低电平还是高电平，这取决于具体的铁电存储器型号及其寻址方式。以下是对铁电存储器最高位地址电平的一般性分析：

一、铁电存储器简介

铁电存储器（FRAM）是一种利用铁电效应进行数据存储的非易失性存储器。它结合了RAM的高速读写能力和ROM的非易失性特性，具有低功耗、高速读写、长寿命等优点。

二、寻址方式差异

不同的铁电存储器型号可能采用不同的寻址方式。这些寻址方式可能涉及不同的地址线配置和电平状态。

1. 某些型号：可能将最高位地址线配置为高电平或低电平来表示特定的存储区域或地址范围。

2. 其他型号：可能采用更复杂的寻址机制，其中最高位地址线的电平状态可能不是决定性因素。

三、具体型号分析

以FM24V05和BL24CM1A为例：

1. FM24V05：

• 这是一个512Kbit的铁电存储器。

• 其寻址方式可能涉及特定的地址线配置，但具体最高位地址是低电平还是高电平，需要查阅该型号的具体数据手册来确定。

2. BL24CM1A：

• 这是一个1024Kbit（128Kbytes）的EEPROM，虽然它不是典型的铁电存储器（FRAM），但作为参考，其寻址方式也可能涉及地址线的电平状态。

• 在BL24CM1A中，寻址方式可能包括高位和低位地址的区分，但这与铁电存储器的最高位地址电平无直接关联。

四、结论

由于铁电存储器的最高位地址电平状态取决于具体的型号和寻址方式，因此无法一概而论。为了确定特定铁电存储器的最高位地址是低电平还是高电平，需要查阅该型号的具体数据手册或相关技术文档。

综上所述，铁电存储器的最高位地址电平状态因型号和寻址方式而异，无法给出统一答案。如需确定具体型号的铁电存储器最高位地址电平状态，请查阅相关数据手册或技术文档。