根据ICInsights报道，在经历了2013年与2014年连续两年20%以上增长的好年景以后，2015年全球存储器市场陷入困境。无论是供应商合并、产能控制还是新型应用频出等过去认为是利好的事情，都没有拯救2015年的存储器市场。个人电脑市场的低迷导致存储器库存过多，从而在2015年下半年出现了价格暴跌，2015年存储器销售额最终为780亿美元，同比下降了3%。

这种颓势延续到了2016年上半年，但从2016年下半年开始情况发生了变化，存储器价格开始变得异常坚挺，而且持续到了2016结束。但由于上半年跌价太狠，ICInsights估算2016全球存储器市场同比下降1%。

ICInsights预计2017年存储器价格还将上涨，从而推动全球存储器市场规模达到创纪录的853亿美元，同比增长10%。该机构同时认为，今后几年存储器市场都将非常健康，在2020年之前每年都能保证增长，并于2020年达到1000亿美元的规模。2021年可能接近1100亿美元左右。

ICInsights认为，从2016年到2021年年平均增长率可达7.3%，比集成电路整体市场年复合增长率高2.4个百分点，存储器模组的年复合增长率为5.6%，价格上涨成为存储器市场表现好的极大因素。不过ICInsights预计，从现在到2021年，每年存储器价格都将上涨，平均价格每年上涨1.8%。

DRAM是2013与2014年存储器市场增长的主力军，但2015年DRAM销售额下降3%，2016年下跌10%，这导致全球存储器市场连续两年下跌。预计2017年DRAM价格将大幅上涨，从而带动DRAM市场增长11%。NAND在2016年还是实现了增长，2017年将再增长10%。

解析六家存储供应商未来发展方向

分析企业尼古拉斯公司总经理Aaron Rakers表示其已经在本次于旧金山召开的尼古拉斯技术、互联网与媒体会议上同博科、QLogic、Pure与Nimble以及希捷与西部数据各方进行了炉边谈话。

各位高管人员探讨了磁盘驱动器市场需求、HAMR磁盘驱动器技术、NVMe over Fabrics、第六代光纤通道以及其它行业所关注的重要议题。我们首先来看两家存储联网方案供应商的观点：

博科公司 首席架构师Martin Skagen认为，80%的全闪存阵列端口正接入光纤通道(简称F)。他指出，博科的第六代(每秒32 Gbit)FC产品将于今年8月逐步推出通用版本。Rakers认为思科将在今年年底时发布其每秒32 Gbit FC产品，这意味着博科将能够在市场上拥有三到四个月的领先周期。

Skagen指出，博科将提供额外的服务质量功能，并在产品引入更为紧凑的虚拟机管理程序集成效果。

NVMe-over-Fabrics规范草案已经完成，他预计早期采纳各方将于2016年年底将其纳入实际应用。不过遗憾的是，业界目前还无法将各规范加以结合，意味着其只能在NVMe over iWARP与NVMe over RoCE间做出选择。这些规范之间无法相互兼容，但未来几年内问题将得到解决。总体来讲，不兼容问题只会在近期困扰各从业企业。

在Skagen看来，超融合型架构很难实现规模化，因此客户仍然需要专有型FC存储网络。博科公司与多家超融合型供应商保持合作关系，且能够在部署中利用这些专用网络，因此超融合对于博科的精力而言可以算是一股积极的力量。

在云方面，Skagen认为传统FC工作负载(即数据库与数据仓库)其实较难被迁移至云端。其将继续在内部环境下运行较长时间。然而，博科的以太网交换机业务将能够从Exchange与Office 365等工作负载向云端的转移而获得助益。

QLogic公司代理CEO Jean Hu与财务副总裁Doug Nayler在会议中指出，QLogic已经开始了正式CEO的人选物色。该公司将继续寻求可行方式，帮助QLogic扩大市场份额并通过发展战略找到良好定位。Rakers指出，今年4月初有报告指出该公司已经雇用了一位金融顾问以探索潜在的出售可能性。

QLogic方面坚信，服务器端HBA FC市场将在短期未来保持平稳或者略有上涨，这主要是受到全闪存阵列存储 业务的推动(例如，70%到80%全闪存阵列采用FC连接机制)。该公司预计第六代FC(每秒32 Gbit)营收将在2017财年显现出来，而目前占其营收五成以上的每秒16 Gbit FC方案营收(其2016财年第四季度的营收占比为32%)则会在整个2017财年中缓慢上升。

以太网业务应该能够在2017年年内实现两位数同比增长速度，这主要是受到10 GbitE方案的进一步普及，意味着其在企业级市场上的普及率将突破50%大关。英特尔的Knights Landing芯片将于2016年第三季度推出，预计这将成为10 GbitE普及的另一股助力。

QLogic公司已经在企业级、存储与电信领域赢得了25/50/100 GbitE设计竞争，不过这方面优势恐怕要到2018财年才能以营收回报的形式带来价值。

两家阵列供应商

Nimble Storage公司CFO Anup Singh与CMO Janet Matsuda指出，新客户占到2017财年第一季度订单总量的45%，低于上个季度与上年同期的52%与49%。4月当季度其迎来了580家新客户。

Nimble公司的全闪存阵列占到当季度总体阵列订单量的12%，相关全闪存阵列客户共55家，其中包括25家新客户。其全闪存产品交易的附加比例已经达到Nimble现有Adaptive Flash平台的两倍(本季度达到64%)。

两位高管表示，Nimble公司在与Pure Storage以及其它主流供应商的竞争当中取得了显着优势，而且预计其全闪存阵列订单量将在2017财年年底占到整体市场中的约25%。

Pure Storage公司CEO Scott Dietzen谈到了竞争关系。在大多数交易当中，Pure公司的竞争对手包括EMC、惠普企业业务公司、HDS以及NetApp，而EMC的竞争实力最强、成功吸引到客户的比例达到三分之二，这主要是由激烈的产品价格战所造成。

在他看来，EMC公司的销售人员已经将推广重点由XtremIO转向全闪存VMAX。Pure公司表示，VMAX并未针对闪存进行优化或者设计，这意味着其中存在着数据体积削减等关键性技术的缺失。

Dietzen强调称，Pure公司的FlashBlade产品拥有良好的发展机会。其使得Pure公司能够冲击整体存储市场(总值得240亿美元)，同时进军非结构化文件与基于对象的存储领域。

Pure公司将于2017财年上半年继续提升其销售能力，而在其10-Q SEC文件中可以看到，2017财年第一季度其营收同比增长超过50%。

磁盘驱动器制造商

西部数据公司的Steve Milligan在此次尼古拉斯公司会议上表示，他预计磁盘驱动器行业将进一步萎缩，包括出货量与营收水平，萎缩速度在每年5%左右。但希捷公司显然给出了不同观点。

他认为未来存在两大主要风险; 其一为确保西部数据公司管理层将技术发展重点转移向3D NAND，其二为降低SanDisk公司毛利率以往经常出现的大幅波动。他指出，SanDisk被三星在3D NAND的快速发展节奏打了个措手不及，但目前其有信心跟上3D NAND的行业发展速度。

XMC与紫光控股清华同方国芯等中国业务实体将成为长期竞争威胁，但其似乎没有任何可行的方式能够在短期内进入NAND市场——无论是从知识产权角度看，还是将专业知识转化为商品的层面。

西部数据公司将敞开胸怀(也许是指建立合作关系?)以确保其继续拥有长期竞争优势。

希捷公司CFO Dave Morton指出，他认为磁盘驱动器行业的营收大致会保持平稳，甚至在长期角度看会出现小幅增长——这样的结论显然与西部数据完全不同。

这主要是受到PC(占整体营收中的30%左右)以及关键性任务磁盘驱动器(占总体营收中的约8%)不断萎缩的趋势所影响，这彻底抵消掉了企业级高容量/近线、监控以及游戏市场的业务发展成果。

希捷公司认为，整体存储容量将不断转移至云环境当中。在今年3月的季度当中，PC与关键性任务驱动器市场需求进一步缩水，希捷的高容量驱动器完全无法抵消这一影响。目前希捷的8 TB驱动器拥有强劲的市场表现，Morton认为其将在2016年下半年受到云存储资源需求的持续升温而更进一步。

希捷公司的势辅助磁记录(简称HAMR)技术发展进度良好，其容量能够实现30%到40%的潜在增长水平。他认为这项技术已经做好投放市场的准备，不过出于成本的考虑可能还要一到两年才会正式与广大用户见面——具体取决于市场对于短期内12 TB驱动器产品的反响。

存储器各领域产业状况

1、 NAND flash

市场最大，接下来几年增长速度会最快，但是在中国目前没有投入设计和制造;做存储卡的小公司很多，但均是直接购买国外存储芯片来组装为成品。

2、DRAM

市场份额很大，与CPU 并列为计算机两大核心芯片。

在DRAM芯片设计开发方面，原奇梦达在西安建有中国研发中心，可从事DRAM完整的设计测试开发，金融危机后，被山东华芯半导体收购并更名为西安华芯半导体，继续从事存储器的开发。另外，美光在上海建有中国研发中心(独资)，从事DRAM和NOR flash的设计。

在DRAM芯片制造方面， 90年代末通过909工程引进NEC工艺技术，接近世界水平生产DRAM，后来不再生产。2000年后，中芯国际引进日本尔必达和德国奇梦达的DRAM工艺进行代工，技术到80nm接近世界水平，同时建有自己的低端DRAM的封装测试厂。受到金融危机的影响后，中芯国际放弃DRAM生产。另一方面，韩国海力士2005年落户无锡，经过六年发展，从早期的90nm发展到80nm、66nm及现在的44nm工艺技术。产能据说已经发展到每月18万片，占到海力士全球产能的近一半，技术也可能发展到38nm,从技术和规模上均为世界水平。但是该厂为海力士独资，不对外合作。

在DRAM芯片封装测试方面，美光在西安2006年开始建立有先进的大规模后端厂，目前仅做测试和模组制造。原奇梦达在苏州工业园区建有大规模的后端厂，后被苏州政府接管，更名为智瑞达，仍然从事DRAM为主的封装测试。

目前中国的DRAM在各环节上均有涉及，但没有形成完整的产业链，核心的芯片制造环节为韩国独资,至今没有自己的DRAM工艺和晶圆制造厂。就目前来看，国内的DRAM产品在整个国际市场上处于非常弱小的地位。

3、NOR flash 和 EEPROM

市场份额较小，中国目前主要有两家公司从事基于中芯国际90nm的小容量的NOR flash，分别是北京兆易创新科技有限公司(原北京芯技佳易微电子科技有限公司)和镇江隆智半导体有限公司，且均为设计公司。华虹有基于自己工艺的EEPROM的产品。以上公司的产品在国内均有销售，但在整个国际市场所占的份额极小。

从制造工艺看，中芯国际除了基于90nm NOR flash, 同时在武汉的新芯拥有飞索(Spansion)的65nm MirroBit(电荷捕获)工艺技术，目前仅能给飞索提供代工服务，两家公司已经达成协议，开始扩展到45nm 技术。每月产能大月3000片-5000片12寸晶圆。

4、SRAM

市场最小，目前主要应用于通讯类和极少数消费类，如华为、中兴等。在中国有很少几个基于老工艺做特殊SRAM芯片设计开发的研究所，但没有商业销售。国内对SRAM的需求均是直接购买国外芯片。

5、新型存储器

市场尚未开启，国内各大高校及研究机构均处于研究阶段。值得关注的是，北京时代全芯公司已经设计完成第一批基于相变存储器的产品芯片，成为中国第一家取得高密度相变存储器芯片的公司。 目前，公司已经成功设计了两颗完整的产品芯片(256Mb的LPDDR2和32Mb的SPI 芯片)，并设计了一个16Mb的嵌入式相变存储器的宏模块。