反向偏置电流确实对半导体器件的寿命有一定的影响。这种影响主要体现在以下几个方面：

1. 热效应：反向偏置电流虽然通常很小，但在长时间作用下仍然会产生一定的功耗，进而转化为热能。这些热能会导致半导体器件的温度升高，加速器件的老化过程，从而缩短其寿命。特别是在高温环境下，这种热效应会更加显著。

2. 电迁移效应：在高电场强度下，反向偏置电流中的载流子会受到电场力的作用而发生迁移。这种迁移可能会导致半导体材料中的金属离子重新分布，形成金属枝晶或空洞等缺陷，进而影响器件的性能和寿命。

3. 化学效应：在反向偏置状态下，半导体器件内部的电场分布可能会发生变化，导致某些区域的电化学活性增强。这种化学效应可能会引发腐蚀、氧化等反应，从而破坏器件的结构和性能，缩短其寿命。

4. 击穿与损坏：如果反向偏置电压过高，超过了半导体器件的击穿电压，会导致器件内部的载流子获得足够的能量以克服内建电场的阻碍作用，从而发生击穿现象。此时，反向偏置电流会急剧增大，可能导致器件的永久性损坏，直接结束其寿命。

然而，需要注意的是，反向偏置电流对半导体器件寿命的影响程度取决于多种因素，如器件的材料、结构、制造工艺以及工作条件等。因此，在设计和应用半导体器件时，需要综合考虑这些因素，并采取相应的措施来优化器件的性能和延长其寿命。例如，可以选择具有高耐热性、高稳定性的材料和制造工艺来制造半导体器件；同时，在电路设计中也可以采取适当的保护措施来限制反向偏置电压的大小和持续时间，从而降低反向偏置电流对器件寿命的影响。

总的来说，反向偏置电流是影响半导体器件寿命的一个重要因素之一。在半导体器件的设计、制造和应用过程中，需要充分考虑并采取相应的措施来降低其影响，以确保器件的可靠性和稳定性。