反向偏置电流对半导体器件的寿命有一定的影响，但具体影响程度取决于多种因素。

首先，需要明确的是，反向偏置电流通常很小，在正常情况下不会显著影响半导体器件的寿命。然而，在特定条件下，如高温、高电场强度或长时间作用下，反向偏置电流可能会产生累积效应，对器件的寿命产生较大影响。

在高温环境下，反向偏置电流会加剧器件的热效应，导致温度升高，从而加速器件的老化过程。这种老化过程可能会引发金属迁移、化学腐蚀等效应，进而破坏器件的结构和性能，缩短其寿命。

此外，在高电场强度下，反向偏置电流中的载流子可能会受到电场力的作用而发生迁移，形成金属枝晶或空洞等缺陷。这些缺陷会进一步影响器件的性能和可靠性，甚至可能导致器件失效。

另一方面，反向偏置电流还可能引发电离损伤，尤其是在半导体器件中的载流子密度较低的情况下。电离损伤会加速器件性能的退化，缩短其寿命。

然而，也需要注意到，反向偏置电流对半导体器件寿命的影响并不是绝对的。在实际应用中，许多半导体器件都设计有保护措施，如限流电阻、浪涌保护电路等，以限制反向偏置电流的大小和持续时间，从而降低其对器件寿命的影响。

综上所述，反向偏置电流对半导体器件的寿命有一定影响，但具体影响程度取决于多种因素，包括器件的材料、结构、制造工艺、工作条件以及保护措施等。因此，在设计和应用半导体器件时，需要综合考虑这些因素，并采取相应的措施来优化器件的性能和延长其寿命。