安森美NL27WZ04DFT2G门极和反相器中文资料

一、型号与类型

安森美（ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，其产品线广泛覆盖模拟、逻辑、电源管理及离散器件等多个领域。NL27WZ04DFT2G是安森美推出的一款高性能双路反相器，属于其27WZ系列逻辑门芯片之一。该芯片采用先进的CMOS技术设计，具有低功耗、高速度及宽电压操作范围等特点，广泛应用于汽车电子、工业自动化、通信设备等多个领域。

　　厂商名称：ON安森美

　　元件分类：门极和反相器

　　中文描述： 反相器，双路+125℃-55℃，2.2 x 1.35 x 1mm，否，SC-88封装，5.5V，LVTTL，6引脚

　　英文描述： Inverter 2-Element CMOS Automotive 6-Pin SC-88 T/R

　　数据手册：https://www.iczoom.com/data/k01-355262-NL27WZ04DFT2G.html

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　　NL27WZ04DFT2G概述

　　NL27WZ04是一款高性能的双逆变器，运行电压范围为1.65至5.5 V。高阻抗TTL兼容输入可明显降低输入驱动器的电流负载，而TTL兼容输出改善了开关噪声性能。

　　特性

　　极高的速度：在V CC=5 V时t PD 2.0 ns（典型值）

　　专为1.65 V至5.5 VV CC操作而设计

　　耐压输入和输出

　　兼容LVTTL-具有5 V TTL逻辑且V CC=3 V的接口功能

　　兼容LVCMOS

　　24 mA平衡输出灌电流和源功能

　　接近零的静态电源电流可大大降低系统功耗要求

　　替代NC7W04

　　芯片复杂度：FET=72；等效门=18

　　提供无铅封装

　　NL27WZ04DFT2G中文参数

二、工作原理

NL27WZ04DFT2G作为一款双路反相器，其核心工作原理基于CMOS（互补金属氧化物半导体）技术。CMOS技术利用P型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和N型MOSFET的互补特性，实现逻辑电路的开关功能。在反相器中，当输入信号为高电平时（逻辑1），输出信号为低电平（逻辑0）；反之，当输入信号为低电平时，输出信号为高电平。这种逻辑反转功能使得反相器在数字电路设计中扮演着重要角色，常用于信号整形、时序控制及逻辑电平转换等场景。

具体到NL27WZ04DFT2G，其内部集成了两个独立的反相器单元，每个单元都能独立地对输入信号进行反相处理。这种双路设计不仅提高了芯片的集成度，还方便了电路布局和布线，降低了系统成本。

三、特点

1. 宽电压操作范围：NL27WZ04DFT2G支持1.65V至5.5V的宽电压操作范围，这意味着它可以在多种电源电压环境下正常工作，提高了芯片的兼容性和灵活性。

2. 高速性能：该芯片具有极高的速度性能，在VCC=5V时，典型传播延迟时间仅为2.0ns，满足了对速度要求较高的应用场景。

3. 低功耗：NL27WZ04DFT2G采用先进的CMOS技术，具有接近零的静态电源电流，可以显著降低系统功耗要求，延长设备使用时间。

4. 高阻抗输入：高阻抗TTL兼容输入可明显降低输入驱动器的电流负载，减少对前级电路的影响，提高系统的稳定性和可靠性。

5. TTL和LVTTL兼容输出：该芯片的输出电平与TTL和LVTTL标准兼容，便于与多种逻辑电路接口，增强了芯片的通用性和易用性。

6. 多封装选项：NL27WZ04DFT2G提供多种封装形式，如SC-88、SOT-363等，方便用户根据实际需求选择合适的封装类型，满足不同的应用场景和布局要求。

四、应用

NL27WZ04DFT2G凭借其优异的性能和广泛的应用范围，在多个领域得到了广泛应用：

1. 汽车电子：在汽车电子系统中，NL27WZ04DFT2G可用于信号整形、时序控制及逻辑电平转换等电路，提高汽车电子系统的稳定性和可靠性。

2. 工业自动化：在工业自动化控制系统中，该芯片可用于传感器信号处理、电机驱动控制等场景，实现精确的控制和调节。

3. 通信设备：在通信设备中，NL27WZ04DFT2G可用于信号放大、滤波及逻辑处理等电路，提高通信设备的信号质量和传输效率。

4. 消费电子：在消费电子领域，该芯片可用于电源管理、显示驱动等电路，提升消费电子产品的性能和用户体验。

五、参数

以下是NL27WZ04DFT2G的主要参数：

• 型号：NL27WZ04DFT2G

• 制造商：ON Semiconductor

• 系列：27WZ

• 逻辑类型：反相器

• 电路数：2

• 输入数：2

• 电压-供电：1.65V ~ 5.5V

• 电流-静态（最大值）：1µA

• 电流-输出高、低：32mA（部分资料显示为16mA，具体以实际产品为准）

• 工作温度：-55°C ~ +125°C

• 安装类型：表面贴装型（SMT）

• 封装/外壳：SC-88、SOT-363等

• 尺寸：2.2 x 1.35 x 1mm（或类似尺寸，具体以实际产品为准）

• 引脚数目：6

• 最长传播延迟时间：@最长CL 11ns @ 15pF（或类似值，具体以实际产品为准）

• 特性：高速度、低功耗、宽电压范围、TTL/LVTTL兼容

• 传播延迟时间（典型值）：

• 输入至输出（高电平至低电平）：@VCC=5V, CL=15pF时，约为2.0ns

• 输入至输出（低电平至高电平）：@VCC=5V, CL=15pF时，略有不同，具体值需参考数据手册

• 扇出能力：

• 典型值下，每个反相器单元能够驱动多个负载电容，具体数值取决于电源电压和负载电容大小，一般可驱动数个至数十个TTL负载门。

• 电源电压抑制比（PSRR）：
  该参数衡量了电源电压变化对输出信号稳定性的影响。NL27WZ04DFT2G具有优秀的电源抑制能力，能够在电源电压波动时保持输出信号的稳定。

• 输入阈值电压（Vih, Vil）：

• 输入高电平阈值（Vih）：通常定义为输入电压上升到某一值时，输出能稳定在低电平的最大值。对于NL27WZ04DFT2G，这个值取决于电源电压，但一般会在电源电压的一定比例范围内。

• 输入低电平阈值（Vil）：类似地，这是输入电压下降到某一值时，输出能稳定在高电平的最小值。

• 输出高电平电压（Voh）和输出低电平电压（Vol）：

• Voh：在输出为高电平时，输出引脚上的电压值，通常接近电源电压但略低。

• Vol：在输出为低电平时，输出引脚上的电压值，通常接近地电位但略高于地。

• 静态功耗：
  由于采用CMOS技术，NL27WZ04DFT2G在静态（即无信号翻转）时的功耗极低，几乎可以忽略不计。

• 开关时间：
  除了传播延迟时间外，还包括了从输入信号变化到输出信号开始变化所需的上升时间和下降时间。这些时间参数共同决定了芯片的动态性能。

• 电磁兼容性（EMC）：
  NL27WZ04DFT2G在设计时考虑了电磁兼容性，能够在各种电磁环境下稳定工作，减少对其他电子设备的干扰，同时也能够抵抗来自外部环境的电磁干扰。

• 环境适应性：
  宽温度范围（-55°C至+125°C）的工作能力使得该芯片适用于各种极端环境条件下的应用，如汽车电子中的发动机舱环境。

六、设计考虑与注意事项

• 电源去耦：为了确保芯片的稳定运行，建议在电源引脚附近添加适当的去耦电容，以滤除电源线上的高频噪声。

• 负载匹配：在设计电路时，应注意匹配负载电容和电阻，以确保信号在传输过程中的完整性和稳定性。

• 热管理：在高功率或高密度封装的应用中，需要关注芯片的热管理问题，确保芯片工作在合理的温度范围内。

• 防静电保护：在处理和安装芯片时，应采取适当的防静电措施，避免静电放电（ESD）对芯片造成损害。

• 兼容性测试：在将NL27WZ04DFT2G集成到系统中之前，建议进行兼容性测试，以确保其与系统中的其他组件能够正常工作。

综上所述，NL27WZ04DFT2G作为一款高性能的双路反相器，凭借其宽电压操作范围、高速性能、低功耗以及良好的电磁兼容性和环境适应性，在汽车电子、工业自动化、通信设备等多个领域具有广泛的应用前景。通过合理的电路设计和布局，可以充分发挥其性能优势，为系统提供稳定可靠的逻辑控制功能。