安森美MURS160T3G超快恢复二极管中文资料

一、型号与类型

安森美（ON Semiconductor）生产的MURS160T3G是一款超快恢复二极管，属于快速/超快功率整流器系列。这款二极管以其卓越的性能和广泛的应用领域，在电子行业中享有很高的声誉。MURS160T3G的型号明确指出了其主要特性和应用领域，其中“MURS”是安森美特定系列产品的标识，“160”可能代表某种特定的性能参数或规格，“T3G”则可能是版本或具体型号的标识。

　　厂商名称：ON安森美

　　元件分类：超快恢复二极管

　　中文描述： 二极管，最大连续正向电流2A，峰值反向重复电压600V，表面贴装安装，DO-214AA(SMB)封装，2引脚

　　英文描述： Rectifier Diode Switching 600V 1A 75ns 2-Pin SMB T/R

　　数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-24419139-MURS160T3G.html

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　　MURS160T3G概述

　　MURS160T3G是一款表面安装超快速功率整流器，带有环氧树脂模制外壳，所有外部表面均耐腐蚀，端子引线易于焊接.非常适合高压，高频率整流或续流，以及表面安装应用中的保护，这些应用的体积小，重量轻.

　　极性条带表示阴极引线

　　高温玻璃钝化结

　　低正向电压压降

　　13°C/W结至引线热阻

　　应用

　　电源管理，安全

　　MURS160T3G中文参数 

　　MURS160T3G引脚图

二、工作原理

MURS160T3G超快恢复二极管的工作原理基于PN结的特性。与普通二极管类似，它也具有两个主要区域：P型半导体和N型半导体，它们之间形成了一个PN结。然而，与普通二极管不同的是，MURS160T3G采用了PIN结型结构，即在P型硅材料与N型硅材料之间增加了一个薄的基区I（本征半导体层），这种结构使得二极管在反向恢复时能够更快地恢复到截止状态，从而实现了超快的反向恢复速度。

当二极管正向偏置时，即P区接正极，N区接负极，PN结中的内建电场被削弱，电子从N区流向P区，空穴从P区流向N区，形成正向电流。此时，二极管处于导通状态，其正向压降相对较低。而当二极管反向偏置时，即P区接负极，N区接正极，PN结中的内建电场增强，阻止了电子和空穴的流动，二极管处于截止状态。

特别地，当二极管从正向偏置切换到反向偏置时，由于PIN结中的基区I非常薄，反向恢复电荷很小，因此反向恢复时间（trr）非常短，可以达到几十纳秒甚至更低。这使得MURS160T3G在高频应用中具有显著的优势。

三、特点

1. 超快恢复速度：MURS160T3G的反向恢复时间极短，通常低于75纳秒，甚至可以达到更低的水平。这使得它在高频电路中能够迅速响应，减少开关损耗和电磁干扰。

2. 高耐压能力：该二极管具有高达600V的峰值反向重复电压，能够承受较高的反向工作电压，适用于高压应用场合。

3. 低正向电压降：在正向导通时，MURS160T3G的正向电压降较低，通常不超过1.25V，有助于降低电路中的功耗。

4. 高温稳定性：该二极管具有优异的高温稳定性，能够在-65℃至+175℃的宽温度范围内正常工作，满足各种恶劣环境下的应用需求。

5. 表面贴装安装：MURS160T3G采用DO-214AA（SMB）封装形式，适合表面贴装安装，便于自动化生产和集成到小型化电子设备中。

6. 高可靠性：安森美作为半导体行业的领先企业，其产品在设计和制造过程中均遵循严格的质量控制标准，确保了MURS160T3G的高可靠性和长寿命。

四、应用

MURS160T3G超快恢复二极管因其卓越的性能和广泛的应用领域而备受青睐。以下是一些典型的应用场景：

1. 开关电源：在开关电源中，MURS160T3G作为高频整流二极管使用，能够有效地降低开关损耗和电磁干扰，提高电源效率。

2. PWM脉宽调制器：在PWM脉宽调制器中，MURS160T3G的快速恢复特性使得它能够快速响应PWM信号的变化，确保电路的稳定性和可靠性。

3. 变频器：在变频器中，MURS160T3G作为续流二极管或阻尼二极管使用，能够有效地抑制电流波动和电压尖峰，保护电路中的其他元件。

4. 电源管理：在电源管理系统中，MURS160T3G可用于整流、续流和保护等多种功能，提高系统的整体性能和可靠性。

5. 工业应用：在工业自动化设备、电力电子设备等领域中，MURS160T3G也有广泛的应用，如电机驱动、逆变器等。

五、参数

以下是MURS160T3G超快恢复二极管的主要参数：

• 额定电压（DC）：600V

• 额定电流：1.00A（实际最大正向电流可达2A）

• 正向电压（Max）：1.25V

• 反向恢复时间（trr）：75ns（超快恢复）

• 封装形式：DO-214AA（SMB），这是一种紧凑的表面贴装封装，非常适合自动化生产和高密度电路设计。

• 热阻（结到环境）：具体数值可能根据具体封装和散热条件有所不同，但通常在几十到几百K/W之间，这表示二极管在散热方面的性能。

• 最大工作温度：+175°C（通常情况下），这是二极管能够安全工作的最高温度，超过此温度可能会导致性能下降或损坏。

• 存储温度范围：通常涵盖很宽的范围，如-65°C至+150°C，这表示二极管在存储和运输过程中能够耐受的温度范围。

• 反向漏电流（IR）：在特定反向电压下（如额定电压），通过二极管的反向电流。对于MURS160T3G，这个值通常非常低，以微安（μA）或纳安（nA）为单位。

• 电容特性：包括结电容（Cj）和扩散电容（Cd），这些参数会影响二极管在高频电路中的性能。MURS160T3G由于其超快恢复特性，通常具有相对较低的结电容，有助于减少高频损耗。

• 软恢复特性：虽然“超快恢复”通常指的是极短的反向恢复时间，但MURS160T3G还可能在软恢复方面表现优异。软恢复意味着在反向恢复过程中，电流和电压的变化较为平滑，减少了开关过程中的电磁干扰（EMI）和电压过冲。

• 正向浪涌电流能力：表示二极管在短时间内能够承受的电流峰值，这对于处理启动浪涌或瞬态电流的应用尤为重要。

• 重复峰值反向电压（VRRM）：这是二极管在反向偏置下能够承受的最大重复峰值电压，对于MURS160T3G来说，这个值是600V。

• 反向击穿电压（VBR）：这是二极管在反向偏置下发生雪崩击穿之前的电压值。虽然MURS160T3G在VRRM下工作，但了解其反向击穿电压对于理解其极限性能和设计安全裕量是有帮助的。

六、设计考虑与选型

在选择MURS160T3G或任何超快恢复二极管时，设计者需要考虑多个因素以确保最佳性能和可靠性。以下是一些关键的设计考虑因素：

1. 反向恢复时间：根据应用需求选择合适的反向恢复时间。在高频或高速开关应用中，超快恢复二极管是首选。

2. 额定电压和电流：确保所选二极管的额定电压和电流满足或超过应用中的最大工作电压和电流要求。

3. 热管理：考虑二极管的热阻和工作环境温度，以确保在连续工作条件下不会超过其最大结温。

4. 封装与布局：选择适合应用需求的封装形式，并优化PCB布局以减少热阻和电磁干扰。

5. 成本效益：在满足性能要求的前提下，考虑成本效益，选择性价比最高的产品。

七、总结

MURS160T3G是安森美半导体生产的一款高性能超快恢复二极管，具有超快的反向恢复速度、高耐压能力、低正向电压降和高温稳定性等特点。它广泛应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器、电源管理以及工业自动化设备等领域。在选择和使用MURS160T3G时，设计者需要综合考虑其性能参数、设计要求和成本效益，以确保电路的稳定性和可靠性。通过合理的选型和设计优化，可以充分发挥MURS160T3G在高频和高性能电路中的优势，提升整体系统的性能和效率。