安森美MC1413BDR2G达林顿管中文资料

一、型号与类型

MC1413BDR2G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列。该型号属于NPN型达林顿管，集成了七个NPN达林顿连接晶体管，采用SOIC-16封装形式，表面贴装，适合用于各种工业和消费类电子产品的驱动需求。

　　厂商名称：ON安森美

　　元件分类：达林顿管

　　中文描述： 达林顿管，NPN，最大连续集电极电流500 mA，SOIC封装，表面贴装，16引脚，每片7芯片，Vce=50 V

　　英文描述： Trans Darlington NPN 50V 0.5A 16-Pin SOIC T/R

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　　MC1413BDR2G概述

　　MC1413BDR2G是NPN大电流达林顿双极晶体管阵列，适用于驱动各种工业和消费类应用中的灯，继电器或打印机锤。它具有高击穿电压，内部抑制二极管可确保避免与感性负载相关的问题。峰值浪涌电流达到500mA，可以驱动白炽灯。带有2.7kR串联输入电阻的器件非常适合使用5V TTL或CMOS逻辑的系统。

　　高压-40至85°C工作环境温度范围

　　应用

　　照明，电源管理，消费电子产品，工业

　　MC1413BDR2G中文参数

　　MC1413BDR2G引脚图

二、工作原理

达林顿管，又称为复合管，是由两个或多个双极型晶体管（BJT）按照特定方式连接而成的电路结构。在MC1413BDR2G中，它采用了七个NPN型达林顿连接晶体管。这种结构通过将第一个晶体管的发射极连接到第二个晶体管的基极，实现了电流的逐级放大。具体来说，当在第一个晶体管的基极施加一个小的基极电流时，该晶体管导通，其集电极电流成为第二个晶体管的基极电流，进而使第二个晶体管也导通。如此类推，最终输出电流是多个晶体管电流放大倍数的乘积，实现了高倍数的电流放大。

达林顿管的工作原理基于双极型晶体管的放大特性，其特点在于高电流增益和较大的饱和压降。由于内部集成了多个晶体管，MC1413BDR2G能够在较小的基极电流驱动下，输出较大的集电极电流，非常适合用于驱动高电流负载如灯、继电器、打印机锤等。

三、特点

1. 高电流增益：MC1413BDR2G具有极高的电流增益，最小值可达1000，这意味着在较小的基极电流驱动下，能够输出较大的集电极电流。

2. 大电流驱动能力：最大连续集电极电流可达500mA，峰值浪涌电流也能达到这一水平，适合驱动各种高电流负载。

3. 高击穿电压：最大集电极-发射极电压可达50V，保证了在高电压环境下的稳定工作。

4. 内部抑制二极管：集成了内部抑制二极管，可以有效避免与感性负载（如继电器、电机等）相关的反向电压问题，提高系统的稳定性和可靠性。

5. 宽工作温度范围：工作温度范围从-40°C到+85°C，适用于各种环境条件下的应用。

6. 表面贴装封装：采用SOIC-16封装形式，便于自动化生产和安装，节省空间。

四、应用

MC1413BDR2G因其高电流增益和大电流驱动能力，广泛应用于各种需要驱动高电流负载的场合，包括但不限于：

1. 照明系统：用于驱动LED灯、白炽灯等照明设备，实现灯光控制。

2. 电源管理系统：在电源管理电路中，用于控制电源的开关和电流分配。

3. 消费电子产品：如打印机、复印机中的打印字锤驱动，以及各类家用电器中的电机控制等。

4. 工业控制系统：在工业自动化控制系统中，用于驱动继电器、电机等执行元件，实现复杂的控制逻辑。

5. 汽车电子：在汽车电子系统中，用于驱动车灯、雨刷电机等部件。

五、参数

以下是MC1413BDR2G的主要参数：

• 晶体管类型：NPN

• 每片芯片元件数目：7

• 最大连续集电极电流（Ic）：500mA

• 最小直流电流增益（hFE）：1000（@ 350mA, 2V）

• 最大集电极-发射极电压（Vce）：50V

• 最大集电极-发射极饱和电压（Vcesat）：1.6V（@ 500μA, 350mA）

• 最大发射极-基极电压（Veb）：5V

• 长度：10mm

• 封装类型：SOIC-16

• 最高工作温度：+85°C

• 最低工作温度：-40°C

• 安装类型：表面贴装

• 尺寸：10 x 4 x 1.5mm

• 引脚数目：16

• 晶体管配置：共发射极

• 输入电阻：MC1413BDR2G带有2.7kΩ的串联输入电阻，这一特性使得它非常适合与5V TTL或CMOS逻辑系统配合使用，无需额外的电平转换电路。

• 功耗：在实际应用中，MC1413BDR2G的功耗取决于其工作时的集电极-发射极电压（Vce）和集电极电流（Ic）。功耗（Pd）的计算公式为Pd = Vce × Ic。由于MC1413BDR2G的最大Vce为50V，最大Ic为500mA，因此其最大功耗理论值可达25W（但在实际应用中通常不会达到此值）。设计时需根据具体负载和系统要求，合理控制Vce和Ic，以避免过热损坏。

• 开关速度：虽然达林顿管在电流放大方面表现出色，但其开关速度相对较慢。这是由于内部多个晶体管的串联连接导致的。因此，在需要快速开关的场合，可能需要考虑其他类型的开关元件。

六、应用注意事项

1. 负载匹配：在选择使用MC1413BDR2G时，需要确保负载的电气特性（如电压、电流、功率等）与器件的规格参数相匹配，以避免过载或损坏。

2. 保护电路：虽然MC1413BDR2G内部集成了抑制二极管，可以在一定程度上保护电路免受感性负载的反向电压冲击，但在某些复杂或高要求的应用中，可能还需要额外添加保护电路（如续流二极管、RC滤波器等）以提高系统的稳定性和可靠性。

3. 散热设计：在高电流或高功耗的应用中，MC1413BDR2G可能会产生较多的热量。因此，在设计时需要考虑散热问题，确保器件的工作温度不超过其最大允许值。可以通过增加散热片、优化PCB布局或使用风扇等方式来提高散热效果。

4. 防静电措施：在处理和安装MC1413BDR2G时，需要采取防静电措施，如佩戴防静电手环、使用防静电包装等，以避免静电对器件造成损害。

七、总结与展望

MC1413BDR2G作为一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，凭借其出色的电流放大能力和广泛的应用场景，在电子行业中占据了重要地位。随着科技的不断进步和应用需求的不断增加，MC1413BDR2G及其同类产品将继续在照明、电源管理、消费电子、工业控制及汽车电子等领域发挥重要作用。未来，随着新材料、新工艺和新技术的不断涌现，MC1413BDR2G的性能和可靠性将得到进一步提升，为电子行业的发展注入新的活力。

需要注意的是，本文所提供的信息均基于当前可获得的资料和数据，并可能随着产品更新和技术进步而发生变化。因此，在实际应用中，建议查阅最新的产品手册和数据表以获取最准确的信息。