2N6491G PNP晶体管中文资料

1. 简介

2N6491G 是一款由安森美半导体 (ON Semiconductor) 生产的高功率 PNP 晶体管。PNP 型晶体管是双极型晶体管 (BJT) 中的一种，另外一种是 NPN 型晶体管。PNP 晶体管通常用于放大和开关应用，在电路设计中起到重要的作用。

厂商名称：ON安森美

元件分类：三极管

中文描述： PNP晶体管,TO-220封装,最大直流集电极电流15 A,最大集电极-发射电压80 V,通孔安装,最大耗散功率75 W,3引脚

英文描述： Power Bipolar Transistor,NPN,80 V,15 A,TO-220 3 LEAD STANDARD,50-TUBE

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-24022740-2N6491G.html

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2N6491G概述

该15A，80 V，PNP双极功率晶体管适用于通用放大器和开关应用。2N6487、2N6488(NPN);以及2N6490、2N6491(PNP)为互补器件。

特性

直流电流增益指定为15安培-h FE=20-150 I C=5.0 Adc;h FE=5.0(Min) I C=15 Adc

集电极-发射极维持电压--V CEO(sus)=60 Vdc(Min)-2N6487,2N6490;V CEO(sus)=80 Vdc(Min)-2N6488,2N6491

高电流增益-带宽积

f T=5.0 MHz(Min) IC=1.0 Adc

TO-220AB紧凑型封装

提供无铅封装

应用

设计用于通用放大器和开关应用。

2N6491G中文参数

晶体管类型 PNP

最大直流集电极电流 15 A

最大集电极-发射极电压 80 V

封装类型 TO-220

安装类型 通孔

最大功率耗散 75 W

晶体管配置 单

最大集电极-基极电压 90 V 直流

最大发射极-基极电压 5 V

最大工作频率 1 MHz

引脚数目 3

每片芯片元件数目 1

2N6491G引脚图

2. 型号类型

2N6491G 属于 PNP 型晶体管，其对应的 NPN 型号为 2N6488。这两个型号常常配对使用，尤其是在互补对称功率放大器中。以下是与 2N6491G 相关的一些其他型号：

• 2N6491：这是 2N6491G 的基本型号，未带 G 后缀。G 后缀表示符合环保标准（无铅）。

• 2N6491R：R 后缀表示该型号具有增强的电流增益性能。

• TIP42C：这是与 2N6491G 性能相似的替代型号，也是一款 PNP 高功率晶体管。

3. 工作原理

2N6491G 是一种 PNP 型双极型晶体管，具有三个引脚：发射极 (E)、基极 (B) 和集电极 (C)。其工作原理如下：

• 正向偏置：当基极相对于发射极电压为负时（即 V_BE < 0），基极电流流入发射极，导致集电极电流流向发射极。这种情况下，晶体管处于导通状态。

• 反向偏置：当基极相对于发射极电压为正时（即 V_BE > 0），基极电流不能流入发射极，晶体管处于截止状态。

在放大应用中，晶体管工作在放大区间，即基极电压略微低于发射极电压（负偏压），从而控制集电极电流。

4. 特点

2N6491G 具有以下几个显著特点：

• 高功率处理能力：其最大集电极电流 (I_C) 为 15A，最大集电极-发射极电压 (V_CE) 为 100V。

• 低饱和电压：在高电流条件下，2N6491G 的饱和电压较低，有利于减少功耗和热量产生。

• 高可靠性：由于采用了先进的制造工艺和材料，2N6491G 具有较高的可靠性和长寿命。

• 符合环保标准：带 G 后缀的型号为无铅环保产品，符合 RoHS 标准。

5. 应用

2N6491G 被广泛应用于各种高功率电路中，包括但不限于以下几个领域：

• 音频功率放大器：由于其高电流和高功率处理能力，2N6491G 常用于音频放大器的输出级。

• 电源管理：在开关电源和电压调节器中，2N6491G 用作开关和稳压元件。

• 电动机控制：在直流电动机控制电路中，2N6491G 用于驱动和控制电动机。

• 逆变器电路：用于太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 中，将直流电转换为交流电。

6. 参数

以下是 2N6491G 的主要电气参数：

• 最大集电极-发射极电压 (V_CEO)：100V

• 最大集电极-基极电压 (V_CBO)：100V

• 最大发射极-基极电压 (V_EBO)：5V

• 最大集电极电流 (I_C)：15A

• 最大基极电流 (I_B)：7A

• 最大功耗 (P_D)：115W（在合适的散热条件下）

• 集电极-发射极饱和电压 (V_CE(sat))：典型值为 1.8V (I_C=15A, I_B=1.5A)

• 基极-发射极饱和电压 (V_BE(sat))：典型值为 2.5V (I_C=15A, I_B=1.5A)

• 电流增益 (h_FE)：50 至 150（I_C=5A, V_CE=4V）

7. 包装和引脚配置

2N6491G 通常采用 TO-3 金属封装，有两个引脚和一个金属外壳。具体引脚配置如下：

• 引脚 1：基极 (B)

• 引脚 2：发射极 (E)

• 金属外壳：集电极 (C)

TO-3 封装具有良好的散热性能，适合高功率应用。

8. 安装和散热

在高功率应用中，2N6491G 的散热管理非常重要。安装时，通常使用散热片和导热膏，以确保晶体管在工作时能够有效散热，避免过热导致损坏。

9. 典型电路设计

以下是一个使用 2N6491G 的典型音频功率放大器电路：

       +Vcc
         |
         |
        R1
         |
         |----+
         |    |
         Q1   R2
         |    |
         +----+
         |
        Load
         |
        GND

在这个电路中，Q1 是 2N6491G，R1 和 R2 是偏置电阻，Load 是负载（如扬声器）。通过调整 R1 和 R2 的值，可以设置适当的偏置电压和电流，以确保 2N6491G 在放大区域工作。

10. 安全注意事项

在使用 2N6491G 时，需注意以下几点以确保安全和性能：

• 电压和电流限制：确保工作电压和电流不超过最大额定值，避免损坏晶体管。

• 散热管理：高功率应用中必须配备足够的散热措施，以防止晶体管过热。

• 正确安装：确保引脚正确连接，避免引脚接错导致电路故障。

• ESD 保护：在处理和安装过程中，注意防静电措施，以防止静电损坏晶体管。

通过以上介绍，可以对 2N6491G PNP 晶体管有一个全面的了解。这款晶体管在高功率应用中具有广泛的用途和优异的性能，是电子工程师设计电路时的可靠选择。