ON安森美2SD1628G-TD-E双极晶体管中文资料

一、型号与类型

1. 型号概述

2SD1628G-TD-E 是 ON安森美（ON Semiconductor）生产的一种NPN型双极晶体管。这种晶体管通常用于中小功率的开关和放大应用中，其封装形式为SOT-89。2SD1628G-TD-E具备较高的电流增益和较高的击穿电压，广泛应用于电子设备中。

厂商名称：ON安森美

元件分类：晶体管

中文描述： NPN晶体管,PCP封装,最大直流集电极电流5 A,最大集电极-发射电压20 V,贴片安装,最大耗散功率1.5 W,3引脚

英文描述： Bipolar(BJT)Transistor NPN 20 V 5 A 120MHz 500 mW Surface Mount PCP

数据手册：https://www.iczoom.com/data/k02-24025503-2SD1628G-TD-E.html

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2SD1628G-TD-E概述

2SD1628是一款双极晶体管，20V，5A，低VCE(sat)，NPN单PCP，适用于高电流开关应用。

特性

低饱和电压

高hFE

大电流容量

尺寸非常小，易于提供高密度、小尺寸的混合IC

无卤合规

应用

频闪DC-DC转换器、继电器驱动器、锤子驱动器、灯驱动器、电机驱动器

2SD1628G-TD-E中文参数

晶体管类型 NPN

最大直流集电极电流 5 A

最大集电极-发射极电压 20 V

封装类型 PCP

安装类型 表面贴装

最大功率耗散 1.5 W

晶体管配置 单

最大集电极-基极电压 60 V

最大发射极-基极电压 6 V

最大工作频率 120 MHz

引脚数目 3

每片芯片元件数目 1

2SD1628G-TD-E引脚图

2. 类型说明

2SD1628G-TD-E属于双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor，简称BJT），具体类型为NPN型。NPN型晶体管的主要特点是当基极电流流入时，集电极电流会大幅增加。这种类型的晶体管因其良好的电流驱动能力和响应速度，广泛应用于各种电子电路中。

二、工作原理

1. 双极晶体管的基本结构

双极晶体管由三个区域组成：发射极（E），基极（B）和集电极（C）。NPN型晶体管的发射极和集电极为N型半导体材料，基极为P型半导体材料。其工作原理基于少数载流子注入和扩散的过程。

2. 工作模式

NPN型晶体管主要有三种工作模式：截止区、放大区和饱和区。

• 截止区：基极电流为零或极小，晶体管处于关闭状态，集电极电流近似为零。

• 放大区：基极-发射极电压大于阈值（通常约为0.7V），基极电流引发集电极电流，且集电极电流大约为基极电流的β倍（电流增益）。

• 饱和区：基极电流进一步增加，晶体管导通，集电极-发射极电压降到最低，集电极电流不再随基极电流增加而显著变化。

3. 工作过程

当在NPN晶体管的基极施加正电压时，发射极区域的电子会通过基极向集电极移动。由于基极很薄并且掺杂较轻，绝大多数电子能够跨过基区进入集电极，从而在外部电路中形成较大的集电极电流。

三、特点

1. 高电流增益

2SD1628G-TD-E具有较高的电流增益（hFE），这意味着在基极流入较小电流时，集电极能够输出较大的电流。高电流增益使其在需要大电流驱动能力的应用中表现良好。

2. 低饱和电压

该晶体管具有较低的饱和电压，这意味着在饱和状态下，集电极-发射极之间的电压降较小，从而减少了功耗和热量的产生。

3. 高击穿电压

2SD1628G-TD-E具有较高的集电极-基极击穿电压（VCBO）和集电极-发射极击穿电压（VCEO），这使其能够在高电压环境中稳定工作，不易击穿损坏。

4. 快速开关速度

该晶体管的开关速度较快，能够在高频率下进行稳定的开关操作，适合用于高速信号的放大和切换。

四、应用

1. 音频放大器

由于其高电流增益和低饱和电压，2SD1628G-TD-E适合用于音频放大器中，提供良好的信号放大性能和效率。

2. 开关电源

2SD1628G-TD-E的高击穿电压和快速开关速度使其成为开关电源电路中的理想选择，能够高效地进行电压转换和调节。

3. 电机驱动

在电机驱动电路中，该晶体管能够提供足够的电流驱动能力和可靠的开关性能，保证电机的正常运行和控制。

4. 通信设备

2SD1628G-TD-E广泛应用于各种通信设备中，用于信号放大和切换，保证通信信号的稳定传输。

五、参数

1. 绝对最大额定值

• 集电极-基极电压（VCBO）：120V

• 集电极-发射极电压（VCEO）：100V

• 发射极-基极电压（VEBO）：5V

• 集电极电流（IC）：1A

• 基极电流（IB）：0.1A

• 耗散功率（PC）：0.5W

• 结温（TJ）：150°C

• 存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C

2. 电气特性

• 集电极-发射极击穿电压（BVCEO）：100V (IC = 1mA, IB = 0)

• 集电极-基极击穿电压（BVCBO）：120V (IC = 10μA, IE = 0)

• 发射极-基极击穿电压（BVEBO）：5V (IE = 10μA, IC = 0)

• 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：0.2V (IC = 1A, IB = 50mA)

• 基极-发射极电压（VBE）：0.7V (IC = 1A, VCE = 2V)

• 直流电流增益（hFE）：100 - 320 (IC = 100mA, VCE = 2V)

3. 热特性

• 热阻（结到环境）（RθJA）：250°C/W

• 热阻（结到壳）（RθJC）：83.3°C/W

总结

2SD1628G-TD-E作为一种NPN型双极晶体管，凭借其高电流增益、低饱和电压、高击穿电压和快速开关速度，在音频放大、开关电源、电机驱动和通信设备等领域有着广泛的应用。其可靠的电气性能和热性能保证了在各种应用中的稳定性和效率。