onsemi NTMFS005P03P8Z单p沟道功率MOSFET(功率负载开关)的介绍、特性、及应用
onsemi NTMFS005P03P8Z单p通道功率MOSFET是功率负载开关,电池管理和保护(反向电流,过压和反向负电压)的理想选择。NTMFS005P03P8Z在-55°C至+150°C结温范围内工作,提供-30V漏源电压,10V导通电阻2.7毫欧和164A漏源/待机电流。onsemi NTMFS005P03P8Z封装在5mm x 6mm SO8-FL封装中,采用先进的封装技术,节省空间并具有优异的导热性。
特性
超低R(DS(on)),提高系统效率
先进的封装技术,节省空间和优良的导热性
5mm x 6mm, SO8-FL封装
不含铅,不含卤素/ bfr,符合rohs标准
应用程序
保护
反向电流
过电压
反向负电压
电力负载开关
电池管理
规范
-30V最大漏源电压
±25V最大栅源电压
-11A至-164A最大连续漏极电流范围
0.9W至104W的最大功耗范围
-597A最大脉冲漏极电流
-1.0µA最大零栅极电压漏极电流
±10µA最大栅源泄漏电流
165.8mJ最大单脉冲漏源雪崩能量
2.7毫欧至4.4毫欧最大漏源电阻范围
87S典型正向跨导
183nC典型总栅电荷
典型反向恢复时间为57ns
典型充电时间34ns
典型放电时间23ns
77nC典型反向回收装药
典型的电容
7880 pf输入
2630 pf输出
2550pF反向传递
最大稳态热阻
1.2°C / W junction-to-case
40°C/W至137°C/W连接至环境范围
-55℃~ +150℃工作结温范围
责任编辑:David
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