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安派瑞nsm071-100nse n通道ASFET的介绍、特性、及应用
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安派瑞PSMN071-100NSE n通道ASFET专为继电器更换、浪涌管理和电池管理应用而设计。该ASFET包括一个增强的安全操作区域(SOA)，用于优越的线性模式操作。PSMN071-100NSE n沟道ASFET提供低漏源导通状态电阻，具有低I(2)R导通损耗。该ASFET的最大漏源电压为100V，最大漏源电流为9.8A，最大总功耗为31W，最大结温为175℃。PSMN071-100NSE n通道ASFET采用紧凑的2mm x 2mm DFN2020封装，具有增强的SOA。除此之外，其他值得注意的应用包括IEEE802.3at和专有PoE解决方案、WIFI 热点、5G皮蜂窝和CCTV。
特性
增强的安全操作区域(SOA)为优越的线性模式操作
低漏源导通状态电阻低I(2)R导通损耗
2mm × 2mm节省空间的DFN2020封装
极低漏极漏电流
欧盟/ CN通过无铅认证
规范
最大漏源电压100V
9.8A最大漏极电流
最大总功耗31W
最大非重复雪崩电流
175°C最高结温
260°C峰值焊接温度
应用程序
IEEE802.3at和专有PoE解决方案
侵入管理
eFuse应用程序
电池管理应用
继电器替代
WIFI热点
5克微微细胞
中央电视台
责任编辑：David
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