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onsemi 50t65rqdn 650V 50A IGBT（第四代现场停止IGBT）的介绍、特性、及应用
来源：
2024-03-05
类别：基础知识
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拍明芯城
onsemi 50t65rqdn 650V 50A IGBT是采用创新技术的第四代现场停止IGBT。onsemi 50t65rqdn为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和PFC应用提供最佳性能。该器件确保最小的传导和开关损耗。
特性
T(J) = 175℃最高结温
正温度系数，便于平行操作
大电流的能力
低饱和电压V(CE(Sat)) = 1.6V (type) @ I(C) = 50A
100%为ILM测试的零件
高输入阻抗
快速切换
收紧参数分布
该设备不含铅，符合rohs标准
应用程序
太阳能逆变器
联合包裹
焊机
电信
ESS
PFC
应用电路
责任编辑：David
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