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　　型号：MLX92212LSE-AAA-000-RE        品牌： MELEXIS

　　MLX92212 霍尔效应传感器可在多种极具挑战性的环境中实现非接触式位置感应。这一新系列数字输出霍尔效应传感器的工作电压范围是 2.5 V 到 5.5 V，因此非常适合与嵌入式系统中的低功耗微控制器配合使用。霍尔效应 IC 和用户定义的微控制器均可共享电源电压，并且在电压低至 2.5 V 时仍保持工作状态。MLX92212 系列部件需要的工作电流要比竞争厂商的数字霍尔效应传感器低。

　　MLX92212LSE-AAA 和 MLX92212LSE-ABA 采用先进的 CMOS 工艺制成，能够以极富竞争力的价格提供稳健的汽车级品质。迈来芯在霍尔效应 IC 设计和制造方面拥有丰富经验，可确保设计人员在磁性开关点温度漂移和使用寿命方面获得卓越的稳定性。该器件设计侧重于耐用性，其可耐受 8KV ESD (HBM)，在 -40 °C 到 150 °C 整个汽车温度范围内具有卓越的温度漂移表现，经测试验证符合 AEC-Q100 标准。

　　MLX92212LSE-AAA 是一款设计用于双极磁场的磁性霍尔效应双极锁存器。常见应用包括 BLDC 电机换向、速度感应和磁性编码器。典型汽车应用包括防虹吸存水弯、防夹车窗升降控制、自动车门、掀盖和侧入系统以及自动电动座椅位置编码器。

　　MLX92212LSE-ABA 是一款面向仅存在和不存在单极南极磁场的应用而设计的磁性霍尔效应单极开关。典型应用包括简单的磁性接近感应、盖板和掀盖中的互锁装置或精确定位和计时应用的亚铁叶片中断传感器。

　　MLX92212LSE-AAA 和 MLX92212LSE-ABA 均采用符合行业标准的 3 引脚表面贴装 JEDEC 外形 TSOT-23 封装。所有器件均不含铅，且符合 RoHS 标准。

　　Top Features

　　低电源电压：2.5 V 到 5.5 V

　　斩波稳定放大器级

　　低开关电流：2.1mA

　　特性和优势

　　低电源电压：2.5 V 到 5.5 V

　　斩波稳定放大器级

　　低开关电流：2.1mA

　　款温度范围：-40 °C 到 150 °C

　　通过汽车行业 AEC-Q100 认证

　　ESD 性能得到优化：8kV

　　专为独立 PCB 应用而设计

　　符合绿色环保标准的薄型 SOT23 3 引脚封装

　　应用行业

　　汽车行业 - 变速器

　　工业和机器人行业

　　家电和家用电器

　　汽车行业 - 动力系统

　　建筑，安全，家庭和办公自动化行业

　　汽车行业 - 车身、空调系统、舒适和照明

　　消费行业解决方案

　　随着市场对车辆的舒适性要求的不断提升，以及汽车电子产品成本的不断下降，自动控制天窗逐渐成为各级别乘用车的标准配置。

　　目前电动天窗防夹主要基于如下两种方案：霍尔传感器方案和电机电流纹波方案。本文将介绍基于霍尔传感器实现电动天窗防夹的方案。

　　基于霍尔传感器的方案需要在电机上安装磁环，磁环随电机转动，并经过霍尔传感器产生方波信号，方波个数反映了天窗的位置，遇到障碍物时电机运动速度变慢，对应方波信号周期变大，据此进行防夹判断。此方案的优点是霍尔信号与位置对应准确。

　　Hall传感器方案也有两种方案可选，单hall锁存开关方案及双hall开关方案。

　　单hall锁存开关传感器，应对多对极磁环正反转运行，输出的是一组方波信号，只有速度信息，并无方向信息。如果需要检测到方向信号，需要用两个单hall锁存开关传感器，输出相位相差90°的两组AB方波信号。如果当A的相位超前B相位90°是正转，则B相位超前A相位90°时是反转。此方案需要MCU捕捉相位差，才能判定转动方向。单hall锁存开关推荐Melexis的霍尔开关MLX92212，通过AEC-Q100认证，灵敏度高±2mT，性价比有优势。

　　双hall开关推荐Melexis的双霍尔开关MLX92251，它是两个单hall开关集成型方案，片内集成了双hall锁存开关，内部信号也是两个相位相差90°的AB信号。信号经过内部逻辑单元处理后，最终的输出信号为一个速度信号Speed，及一个正反转的方向信号Direction。这里相对MCU只需要一路cap计数及一个IO口检测方向，不需要比较相位，算法上更加简单。

　　霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔(A.H.Hall，1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。

　　由霍尔效应的原理知，霍尔电势的大小取决于：Rh为霍尔常数，它与半导体材质有关;I为霍尔元件的偏置电流;B为磁场强度;d为半导体材料的厚度。

　　对于一个给定的霍尔器件，当偏置电流 I 固定时，UH将完全取决于被测的磁场强度B。

　　一个霍尔元件一般有四个引出端子，其中两根是霍尔元件的偏置电流 I 的输入端，另两根是霍尔电压的输出端。如果两输出端构成外回路，就会产生霍尔电流。一般地说，偏置电流的设定通常由外部的基准电压源给出;若精度要求高，则基准电压源均用恒流源取代。为了达到高的灵敏度，有的霍尔元件的传感面上装有高导磁系数的镀膜合金;这类传感器的霍尔电势较大，但在0.05T左右出现饱和，仅适用在低量限、小量程下使用。

　　在半导体薄片两端通以控制电流I，并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场，则在垂直于电流和磁场的方向上，将产生电势差为UH的霍尔电压。