原标题：基于GaN的参考设计缩小了电机驱动器的尺寸

基于GaN（氮化镓）的参考设计在电机驱动器领域的应用，确实有助于显著缩小驱动器的尺寸并提高性能。以下是关于这一点的详细解释和归纳：

1. GaN技术的优势：

• GaN高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）与硅MOSFET相比，具有更低的驱动损耗和更短的死区时间电路优势。这主要得益于GaN HEMT的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）的显著降低。

• GaN HEMT在高频软开关谐振拓扑（如LLC谐振转换器）中显示出优于硅MOSFET的显着优势，因为它支持更高的开关频率，有助于减小变压器铁芯尺寸，并提高功率密度。

1. 基于GaN的参考设计如何缩小电机驱动器尺寸：

• 由于GaN HEMT具有更低的驱动损耗和更短的死区时间，基于GaN的电机驱动器可以在更高的频率下运行，同时保持高效和稳定。

• 高频操作允许使用更小的变压器和电容器，这些元件在电机驱动器中占据大部分体积。因此，采用GaN技术的驱动器可以显著减小尺寸。

• 例如，在LLC谐振转换器中，由于GaN HEMT的优异性能，可以设计出功率密度超过63W/inch³的完整转换器，同时保持高效率和可靠性。

2. 具体数字和信息：

• 在基于GaN的LLC DC-DC谐振转换器中，可以观察到峰值效率高达96%，且功率密度极高。

• 使用GaN技术的电机驱动器可能具有更高的电流密度和更小的尺寸，从而节省空间并降低整体系统成本。

3. 归纳：

• 基于GaN的参考设计通过利用GaN HEMT的优异性能，如低驱动损耗、高开关频率和短死区时间，显著缩小了电机驱动器的尺寸。

• 这些设计不仅提高了驱动器的性能，还通过减小元件尺寸和增加功率密度，降低了整体系统成本。

• 在低功耗消费类应用（如笔记本电脑适配器、平板电视和一体式台式计算机）中，基于GaN的电机驱动器显示出巨大的潜力。