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何时以及如何使用无桥图腾柱功率因数校正

来源: digikey
2022-10-10
类别:工业控制
eye 77
文章创建人 Jeff Shepard

原标题:何时以及如何使用无桥图腾柱功率因数校正

  高功率因数 (PF) 和高效率是服务器、网络、5G 电信、工业系统、电动汽车和一系列其他应用中使用的 AC-DC 电源的关键要求。然而,电源设计人员面临的挑战是同时满足 IEC 61000-3-2 等标准的 PF 和电磁兼容性 (EMC) 要求,以及 EnergyStar 最新的 80 PLUS Titanium 效率标准。后者要求在 10% 负载时的最低效率为 90%,在满负载时的效率为 94%。传统的升压 PF 校正 (PFC) 拓扑可以提供高 PF 和良好的 EMC,但包括效率相对较低的二极管电桥,因此难以满足预期的效率标准。

  用无桥图腾柱 PFC 拓扑代替二极管桥可提供高 PF 和高效率。然而,这会带来更大的复杂性,因为该拓扑结构包括两个控制回路:一个以线路频率运行的慢速回路用于整流,一个用于升压部分的高频回路。从头开始设计两个控制回路是一个耗时的过程,可能会延迟上市时间,并导致解决方案的成本更高、规模更大。

  为了应对这些挑战,设计人员可以转而使用针对无桥图腾柱 PFC 设计进行优化的 PFC 控制器 IC。这些控制器具有内部补偿数字环路,无需霍尔效应传感器即可实现逐周期电流限制,并可与硅 MOSFET 或宽带隙 (WBG) 开关器件一起使用,例如碳化硅 (SiC) 或氮化镓(氮化镓)。由此产生的 PFC 可以在 90 至 265 伏交流电的输入下运行,效率高达 99%。

  本文简要回顾了 AC-DC 电源需要满足的行业标准,比较各种 PFC 拓扑的性能,并确定无桥图腾柱 PFC 何时是最佳选择。然后介绍了onsemi为无桥图腾柱 PFC 使用而优化的控制器 IC,以及支持组件、评估板和设计建议,以加快开发过程。

  效率可能很复杂

  电源效率比最初看起来要复杂得多,因为它包括交流和直流分量。简单的效率是输入功率与输出功率的比值。然而,典型 AC-DC 电源的输入功率并非纯正弦波,导致从交流电源汲取的同相和异相功率之间存在差异。这种差异被认为是 PF。要完整描述 AC-DC 电源的效率,需要包括 DC 效率和 PF。为了使其更具挑战性,效率曲线并不平坦:效率和 PF 会随着输入电压和输出负载等参数而变化。

  考虑到这些变量,能源之星等效率标准定义了不同负载水平和不同输入电压下的效率,以及对 PF 的要求(表 1)。最

高级别,称为“80 PLUS Titanium”,指定在 10% 和 100% 额定负载下 90% 的 115 伏交流输入的最低效率,在 50% 额定负载下的 94% 效率,加上 ≥95 的 PF % 在额定负载的 20% 时。230 伏交流输入需要更高的效率。此外,电源有望满足 IEC 61000-3-2 的要求,该标准对电力线谐波进行了限制。

  

EnergyStar 等性能标准表包括对 PF 和效率的要求(点击放大)


  表 1:能源之星等性能标准包括对 PF 和效率的要求。(表源:onsemi)

  PFC 有两种常见的方法:基于二极管整流的升压转换器;以及基于有源整流的更复杂、更高效的图腾柱拓扑(图 1)。升压转换器 PFC 可以满足基本的 PF 和效率要求,但不足以满足 80 PLUS Titanium 等严格要求。例如,在升压 PFC 中,DC-DC 级可能有 2% 的损耗,线路整流和 PFC 级有 1% 的损耗(在低线路运行时可能上升到近 2%)。由于低压线路损耗接近 4%,因此在 230 伏交流输入和 50% 负载下满足 96% 效率的 80 PLUS Titanium 要求具有挑战性。在需要最高效率水平的应用中,可以通过用同步整流替换二极管整流器来降低 PFC 级的损耗。

  

两种常见 PFC 拓扑图


  图 1:两种常见的 PFC 拓扑包括基本升压转换器(左)和图腾柱(右)。(图片来源:onsemi)

  在上面的图腾柱 PFC 中,Q3 和 Q4 是在线路频率下实现同步整流的慢腿,而 Q1 和 Q2 形成将整流电压提升到更高水平的快腿,例如 380 伏直流电。虽然可以为 Q1 和 Q2 使用低导通电阻 (R ON ) MOSFET 来实现图腾柱,但由于 MOSFET 的反向恢复导致的高频开关损耗会降低效率。因此,在许多图腾柱 PFC 设计中,Q1 和 Q2 硅 MOSFET 被反向恢复损耗很小或没有的 SiC 或 GaN 功率开关所取代。

  优化控制

  设计 PFC 时的另一个决定是控制技术的选择。PFC 可以在连续传导模式 (CCM)、不连续 (DCM) 或临界传导 (CrM) 模式下运行。这些模式因升压电感器(图 1 中的 L1)的工作特性而异。CCM 充分利用了电感并保持较低的导通损耗和磁芯损耗,但 CCM 是硬开关,具有更高的动态损耗。DCM 在低功率运行时可能很有效,但会受到相对较高的峰值和 rms 电流的影响,从而导致电感器中的导通损耗和磁芯损耗较高。

  CrM 可以在高达几百瓦的设计中提供更高的效率。借助 CrM,可以监控线路电压和负载电流的变化,并调整开关频率以在 CCM 和 DCM 之间运行。CrM 具有低导通损耗,并将峰值电流限制为平均电流的两倍,从而将导通损耗和磁芯损耗保持在合理水平(图 2)。

  

CrM PFC 升压电感峰值电流 (Ipk) 的图像


  图 2:CrM PFC 升压电感器峰值电流 (Ipk) 被限制为输入线路电流的两倍。(图片来源:onsemi)

  但是,使用 CrM 存在一些挑战:

  这是一种硬开关拓扑,升压器件的正向恢复会增加一些损耗,并可能导致输出电压过冲。

  在轻负载时,它以非常高的频率运行,增加了开关损耗并降低了效率。

  有四个有源器件需要控制,此外还需要检测 PFC 电感中的零电流并调节输出电压。

  CrM 可以使用电路内传感器和微控制器 (MCU) 来实现,以执行复杂的控制算法。对算法进行编码以解决上述性能挑战是有风险且耗时的,可能会延迟上市时间。

  无代码图腾柱

  为了解决这些问题,设计人员可以求助于 onsemi 的NCP1680ABD1R2G混合信号控制器,该控制器提供集成的无代码 CrM 图腾柱 PFC 解决方案。SOIC-16 封装控制器符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用,具有低损耗、低成本、电阻式电流感应功能,无需霍尔效应传感器即可实现逐周期限流保护(图 3) . 内部补偿的数字电压控制环路优化了整个负载范围内的性能,简化了 PFC 设计。

  

onsemi NCP1680 CrM控制器示意图(点击放大)


  图 3:NCP1680 CrM 控制器使用低成本且高效的电阻式电流感应(原理图右下角的 ZCD)。(图片来源:onsemi)

  高速栅极驱动器

  NCP1680 控制器可与 onsemi 的 4 x 4 毫米 (mm) 15 引脚 QFN 封装的NCP51820 高速栅极驱动器配对。它设计用于半桥拓扑中的栅极注入晶体管 (GIT) GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 和增强模式 (e-mode) GaN 功率开关(图 4)。

  

onsemi NCP1680 控制器图片


  图 4:NCP1680 控制器(左)可与 NCP51820 高速栅极驱动器(右)配对,以驱动图腾柱 PFC 中的 GaN 功率器件。(图片来源:onsemi)

  例如,NCP51820AMNTWG具有短且匹配的传播延迟,以及 -3.5 伏至 +650 伏(典型值)的高侧驱动共模电压范围。驱动级具有专用的稳压器,以保护 GaN 器件的栅极免受电压应力。NCP51820 栅极驱动器包括独立的欠压锁定 (UVLO) 和热关断保护。

  为了加快上市时间,设计人员可以使用NCP51820GAN1GEVB评估板 (EVB)。此 EVB 可帮助设计人员探索 NCP51820 驱动器的性能,以有效驱动图腾柱配置中的两个 GaN 电源开关。NCP51820GAN1GEVB 采用四层千分之 1310 英寸 (mil) x 1180 mil 印刷电路 (PC) 板设计。它包括 NCP51820 GaN 驱动器和两个采用半桥配置的 e-mode GaN 电源开关(图 5)。

  

onsemi NCP51820GAN1GEVB EVB 的图片包括 NCP51820 驱动程序


  图 5:NCP51820GAN1GEVB EVB 包括一个 NCP51820 驱动器和两个采用半桥配置的 E-mode GaN 开关。(图片来源:onsemi)

  设计建议

  在使用这些 IC 时,设计人员可以遵循一些简单的设计建议来实现最佳性能。例如,为了防止噪声耦合到信号路径并意外触发 NCP51820 栅极驱动器,onsemi 建议直接在栅极驱动器 IC 的输入端过滤来自 NCP1680 的控制信号(PWMH 和 PWML)。一个 1 千欧 (kΩ) 电阻器和一个 47 或 100 皮法 (pF) 电容器直接放置在驱动器的引脚上可以提供足够的滤波(图 6)。

  

PWMH 和 PWML 控制信号的滤波示意图(点击放大)


  图 6:在 NCP51820 栅极驱动器 IC 的输入端过滤来自 NCP1680 的 PWMH 和 PWML 控制信号可以防止噪声影响,例如 NCP51820 的意外触发。此处使用 1 kΩ 电阻器(左中)和 47 pF 电容器(右中)完成滤波。(图片来源:onsemi)

  NCP1680 的跳过/待机模式可实现非常好的空载和轻载性能,但它必须通过脉冲 PFCOK 引脚或将 SKIP 引脚接地并与NCP13992 谐振模式控制器接口从外部触发(图 7)。接口电路的元件值应与 NCP1680 EVB 上的元件值相似。正常工作时,NCP13992 谐振模式控制器上的 PFCMODE 引脚与控制器的 VCC 偏置电压相同。当转换器进入跳跃模式时,它会向地脉冲。要进入跳跃模式,PFCOK 引脚必须低于 400 毫伏 (mV) 超过 50 微秒 (μs)。

  

onsemi NCP1680外触发电路图


  图 7:在 NCP1680 中调用跳过/待机模式所需的外部触发电路示例。(图片来源:onsemi)

  结论

  使用典型的升压转换器 PFC 拓扑同时满足最新 EnergyStar 标准(例如 80 PLUS Titanium)的效率、EMC 和 PF 要求可能具有挑战性。设计人员可以改为使用图腾柱 PFC 拓扑。如图所示,使用 NCP1680 混合信号控制器,以及来自 onsemi 的支持组件(例如 NCP51820 栅极驱动器、评估板以及一些设计最佳实践),设计人员可以快速实施 CrM 图腾柱 PFC 解决方案,同时符合要求的标准。


责任编辑:David

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