原标题：“02专项“为何非要选择28纳米光刻机这么一个数字？

“02专项”选择28纳米光刻机作为目标，并非随意之举，而是基于多方面的考量和技术限制。以下是对此选择的详细分析：

一、技术可行性

1. 最佳分辨率：28纳米是193nm ArF激光干法光刻结合double patterning技术所能达到的最佳分辨率。这种技术组合在现有条件下具有相对较高的可行性。单次光刻的分辨率受限于光源波长、透镜组数值孔径以及曝光方式相关的常数。对于193nm激光，通过干法光刻和double patterning技术，理论上可以实现28纳米的分辨率。

2. 技术挑战：尽管28纳米是一个具有挑战性的目标，但国内企业在光刻机技术方面已经取得了一定进展，并且具备进一步突破的技术基础。此外，通过与国际领先企业的合作与交流，可以借鉴其先进技术和经验，加速国产光刻机的研发进程。

二、市场需求

1. 市场需求广泛：28纳米芯片在市场中具有广泛的应用需求。无论是消费电子、汽车电子还是工业控制等领域，都需要大量采用28纳米及以上工艺的芯片。因此，实现28纳米光刻机的国产化对于满足国内市场需求具有重要意义。

2. 产业升级需求：随着半导体产业的不断发展，国内对于高端芯片的需求日益增加。实现28纳米光刻机的国产化有助于推动国内半导体产业向更高水平迈进，提升整体产业竞争力。

三、战略意义

1. 打破技术封锁：光刻机是半导体制造中的核心设备之一，其技术高度垄断在国际少数几家企业手中。实现28纳米光刻机的国产化有助于打破国外技术封锁和垄断局面，提升国内半导体产业的自主可控能力。

2. 促进产业发展：国产光刻机的成功研发将带动整个半导体产业链的发展。从上游的原材料和设备供应到下游的芯片设计和制造等环节都将受益于国产光刻机的应用和推广。

综上所述，“02专项”选择28纳米光刻机作为目标主要是基于其技术可行性、市场需求以及战略意义等多方面的考量。通过实现28纳米光刻机的国产化将有助于推动国内半导体产业的快速发展和升级。