原标题：Nexperia第二代650 V氮化镓场效应管使80 PLUS钛金级电源可在2 kW或更高功率下运行

Nexperia（安世半导体）推出的第二代650V氮化镓（GaN）场效应管（FET）在电源领域取得了显著的突破，使得80 PLUS钛金级电源能够在2kW或更高功率下运行。以下是对这一产品的详细介绍：

一、产品概述

Nexperia第二代650V GaN FET器件系列，以其卓越的性能和批量供货的能力，为高性能电源设计提供了新的选择。这些器件特别适用于需要高效率、高功率密度和紧凑设计的场合。

二、主要性能特点

1. 低RDS(on)值：

• 该系列GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，这有助于降低功耗并提高电源效率。

2. 高功率处理能力：

• 适用于2kW至10kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源（SMPS），满足高性能电源应用的需求。

3. 高效率认证：

• 特别适合需要满足80 PLUS钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。钛金级是80 PLUS规格中最严苛的，满载条件下要求达到>91%的效率（半载条件下>96%）。

4. 封装与尺寸：

• 采用TO-247封装，对于给定RDS(on)值，芯片尺寸缩小36%，具有更好的稳定性和效率。

5. 简化电路设计：

• 级联配置无需复杂的驱动电路，加快了产品上市速度。同时，该器件在硬开关和软开关电路中均具有出色的性能，为设计人员提供极大的灵活性。

三、应用场景

1. 服务器电源：

• 对于2kW及更高功率的服务器电源应用，使用传统硅器件来实现钛金级效率水平，电路设计复杂且具有挑战性。而Nexperia新的功率GaN FET非常适合简洁的无桥图腾柱PFC电路，使用更少的器件，并能减少尺寸和系统成本。

2. 电信电源：

• 高效率要求的电信电源也是该系列GaN FET的重要应用场景之一。

3. 太阳能逆变器：

• 同样适用于相同功率范围内的太阳能逆变器，提高能源转换效率。

4. 伺服驱动器：

• 在伺服驱动器领域，该系列GaN FET也能发挥出色的性能。

四、市场影响

Nexperia第二代650V GaN FET器件系列的推出，不仅推动了电源技术的创新，还为高效、高功率密度和紧凑设计的电源产品提供了新的解决方案。这对于满足日益增长的能源效率和环保需求具有重要意义。

五、总结

Nexperia第二代650V GaN FET器件系列以其卓越的性能、批量供货能力和广泛的应用场景，在电源领域取得了显著的突破。这些器件不仅提高了电源效率，还降低了功耗和尺寸，为高性能电源设计提供了新的选择。随着技术的不断进步和市场的深入拓展，Nexperia的GaN FET器件有望在更多领域得到广泛应用。