原标题：英飞凌推出第二代高可靠非易失性SRAM

英飞凌确实推出了第二代高可靠非易失性SRAM（nvSRAM）。以下是对这款产品的详细介绍：

一、产品概述

英飞凌科技股份公司旗下的Infineon Technologies LLC在2021年4月1日宣布推出第二代非易失性静态RAM（nvSRAM）。新一代器件已通过QML-Q和高可靠性工业规格的认证，支持苛刻环境下的非易失性代码存储和数据记录应用，包括航天和工业应用。

二、产品规格

1. 容量：256 Kb（STK14C88C）和1 Mb（STK14CA8C）两种规格。

2. 封装：采用32引脚300 mil双列直插式陶瓷封装，符合MIL-PRF-38535 QML-Q规格（-55°C至125°C）和英飞凌的工业标准（-40°C至85°C）。

3. 电压：提供5V和3V两个版本，支持航天、通信和导航系统以及工业高炉和铁路控制系统的引导代码、数据记录和校准数据存储。

三、技术特点

1. 高可靠性：通过QML-Q和高可靠性工业规格的认证，适用于苛刻环境下的应用。

2. 非易失性：在断电时，nvSRAM会自动将SRAM数据的副本保存到非易失性存储器中，该数据的保护期限超过20年。

3. 高性能：英飞凌的nvSRAM技术将高性能SRAM与一流的SONOS非易失性技术相结合，在正常工作条件下，nvSRAM的作用类似于传统的异步SRAM。

四、应用场景

1. 航天应用：适用于航天器的引导代码、数据记录和校准数据存储等应用。

2. 工业应用：适用于工业高炉、铁路控制系统等需要高可靠性和非易失性存储的场合。

3. 其他应用：还可用于通信和导航系统等领域。

五、市场意义

新一代nvSRAM的推出，扩展了英飞凌在电荷阱型存储器领域的领导地位。这些符合QML-Q规范的高可靠性工业用器件证明了英飞凌致力于为需要高性能、高可靠性存储器的恶劣工作环境提供解决方案。

综上所述，英飞凌推出的第二代高可靠非易失性SRAM具有显著的技术优势和广泛的应用前景，将为用户提供更加可靠、高效的存储解决方案。