原标题：意法半导体发布隔离式栅极驱动器，可安全控制碳化硅MOSFET

意法半导体发布的隔离式栅极驱动器，确实可以安全控制碳化硅（SiC）MOSFET。以下是对该产品的详细介绍：

一、产品概述

意法半导体推出的STGAP系列隔离式栅极驱动器，旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。其中，STGAP2SiCS是STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅（SiC）MOSFET，工作电源电压高达1200V。

二、主要特性

1. 高电压驱动能力：

• STGAP2SiCS能够产生高达26V的栅极驱动电压，将欠压锁定（UVLO）阈压提高到15.5V，满足SiC MOSFET开关管正常导通要求。

2. 电气隔离：

• 在输入部分和栅极驱动输出之间设计有6kV电气隔离，有助于确保消费电子和工业设备的用电安全。

3. 驱动能力：

• 具备4A吸电流/拉电流驱动能力，适用于高端家用电器、工业驱动装置、风扇、电磁炉、电焊机、UPS不间断电源等设备的高功率变换器、电源和逆变器。

4. 输出配置：

• 提供两种不同的输出配置。一种配置是提供独立的输出引脚，可使用专用的栅极电阻独立优化通断时间。另一种配置适用于高频硬开关，只有一个输出引脚和有源米勒钳位电路，米勒钳位用于限制SiC MOSFET栅极-源极电压摆动，防止开关不必要导通，并增强开关的可靠性。

5. 逻辑电平兼容性：

• 输入电路兼容更低3.3V的CMOS/TTL逻辑电平信号，可以轻松地连接各种控制器芯片。

6. 保护功能：

• 具有待机模式，有助于降低系统功耗。同时，具有内部保护功能，包括可防止低压部分和高压驱动通道交叉导通的硬件互锁和热关断。

7. 传播延迟：

• 低高压电路之间的传播延迟精确匹配，防止周期失真，较大程度地减少电能损耗。总传播延迟小于75ns，精确的脉宽调制（PWM）控制支持高开关频率。

8. 封装：

• 采用宽体SO-8W封装，在有限的面积内确保8mm的爬电距离。

三、应用场景

STGAP2SiCS系列针对SiC MOSFET的安全控制进行了专门优化，并可在高达1200V的高压下工作，使其成为节能型电源系统、驱动器和控制装置的绝佳选择。从工业电动汽车充电系统到太阳能、感应加热和汽车OBC DC-DC，STGAP2SiCS系列可简化设计、节省空间并增强稳健性和可靠性。

四、技术优势

1. 电气隔离：

• 通过电气隔离，确保输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间的安全隔离，提高系统的稳定性和可靠性。

2. 灵活配置：

• 提供多种输出配置和参数调整选项，可根据具体应用场景进行优化，实现最佳功率转换效率。

3. 高效能：

• 高效率的电源转换和精确的PWM控制，有助于降低系统功耗并提高整体性能。

五、总结

意法半导体发布的隔离式栅极驱动器STGAP2SiCS，以其高电压驱动能力、电气隔离、强大的驱动能力、灵活的输出配置、逻辑电平兼容性、内部保护功能以及精确的传播延迟等特性，为碳化硅MOSFET的安全控制提供了优化解决方案。该产品在节能型电源系统、驱动器和控制装置等领域具有广泛的应用前景。