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SanDisk iNAND 8251 嵌入式闪存为移动AR和物联网应用提供高效存储

来源: 维库电网
2019-11-19
类别:基础知识
eye 71
文章创建人 拍明

原标题:SanDisk iNAND 8251 嵌入式闪存为移动AR和物联网应用提供高效存储

  专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子  即日起备货https 8521嵌入式闪存 (EFD)。iNAND 8521 EFD采用3D NAND技术和UFS 2.1快速接口,具有出众的读写性能,可为大多数轻薄型计算设备和数据密集型移动设备提供存储解决方案。

  贸泽电子供应的 iNAND 8521 EFD是尺寸为11.5 × 13 × 1.0 mm的存储解决方案,采用SanDisk的最新3D NAND技术制成。借助UFS 2.1 Gear 3快速双通道接口,EFD能为以数据为中心的高要求应用装置提供节能型即插即用集成。此款驱动器的写入性能出色,具有高达每秒500 MB (MBps) 的串行写入速度和45K IOPs(每秒输入/输出次数)的随机写入速度,支持快速文件传输和内容下载。这些器件经过优化的控制器架构提高了读取性能,提供800 MBps串行读取和50K IOPs随机读取速度,从而可以快速启动系统和应用。

  SanDisk iNAND 8521 EFD外形小巧,提供32 GB至256 GB的容量,可以为数据驱动型应用提供可扩展性和设计灵活性,包括增强现实 (AR)、高分辨率视频拍摄、丰富的社交媒体体验、人工智能 (AI) 和物联网 (IoT) 边缘设备等应用。


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标签: 嵌入式闪存

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