原标题：虹半导体推出90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台 助力大容量MCU解决方案

近日，虹半导体宣布成功研发90纳米（nm）超低漏电嵌入式闪存（eFlash）工艺平台，该平台通过材料创新与工艺优化，显著降低了嵌入式闪存的静态功耗，同时提升了存储密度与可靠性，为大容量微控制器单元（MCU）解决方案提供了关键技术支撑。这一突破标志着国产半导体工艺在低功耗、高集成度领域迈入新阶段，有望加速物联网（IoT）、工业控制、汽车电子等场景的智能化升级。

技术突破：超低漏电与高密度存储的平衡

1. 90纳米工艺节点优化
   虹半导体采用90纳米制程，在成本与性能间实现最佳平衡。相比传统130纳米工艺，90纳米可缩小芯片面积约40%，同时通过优化光刻、蚀刻等关键步骤，减少晶体管漏电路径，为低功耗设计奠定基础。

2. 超低漏电技术革新

• 材料创新：引入高介电常数（High-k）栅介质材料替代传统二氧化硅，降低栅极漏电流；采用金属栅极（Metal Gate）替代多晶硅，减少界面缺陷导致的漏电。

• 结构优化：通过浅沟槽隔离（STI）与超薄栅氧化层设计，进一步抑制寄生电容和漏电通道，使静态功耗降低至行业领先水平（具体数据需参考官方发布）。

• 工艺控制：精准调控离子注入剂量与退火温度，减少晶圆缺陷密度，提升闪存单元的耐久性（可达10万次擦写循环）与数据保持能力（25℃下20年数据保留）。

3. 嵌入式闪存集成方案
   该平台支持单芯片集成大容量eFlash与逻辑电路，存储密度较上一代提升30%，可实现4Mb至64Mb嵌入式闪存的灵活配置。这一特性使MCU无需外接独立存储芯片，显著降低系统成本与PCB面积，同时提升数据读写速度与抗干扰能力。

应用场景：赋能低功耗高可靠MCU需求

1. 物联网（IoT）设备

• 超长续航：超低漏电设计使MCU在待机模式下功耗降至微瓦级，延长电池寿命至10年以上（如智能水表、燃气表）。

• 安全存储：集成硬件加密引擎与高可靠性eFlash，保障设备固件与敏感数据的安全存储，抵御侧信道攻击。

2. 工业控制与自动化

• 高温稳定性：工艺平台支持-40℃至125℃宽温工作范围，满足工业电机驱动、PLC等严苛环境需求。

• 实时响应：大容量eFlash可存储复杂控制算法，配合低延迟读写性能，提升系统实时性与控制精度。

3. 汽车电子

• 功能安全：符合AEC-Q100 Grade 1标准，通过ECC纠错、冗余存储等技术提升数据可靠性，适用于车身控制模块（BCM）、电池管理系统（BMS）等安全关键应用。

• 成本优化：单芯片集成方案减少汽车电子BOM成本，助力车企应对缺芯挑战与降本压力。

行业影响：推动国产MCU生态升级

1. 技术自主可控
   虹半导体90纳米eFlash工艺平台的推出，填补了国内在超低漏电嵌入式存储领域的技术空白，减少对国际厂商的依赖，为国产MCU厂商提供差异化竞争利器。

2. 生态协同效应
   该平台已与多家主流MCU设计公司完成适配，支持ARM Cortex-M系列、RISC-V内核的快速移植，缩短产品开发周期。同时，虹半导体提供完整的IP库与设计服务，降低客户研发门槛。

3. 市场拓展空间
   据市场研究机构预测，2025年全球低功耗MCU市场规模将超200亿美元，其中物联网与汽车电子占比超60%。虹半导体的技术突破有望助力国产MCU在这一高增长赛道抢占份额。

未来展望：迈向更先进制程与智能化

虹半导体表示，下一步将基于90纳米平台开发AI加速单元集成方案，通过在MCU中嵌入轻量化神经网络处理器（NPU），实现边缘端语音识别、图像处理等智能功能。同时，公司正研发55纳米超低漏电工艺，目标将嵌入式闪存密度提升至128Mb以上，进一步满足自动驾驶、AR/VR等高端应用需求。

结语
虹半导体90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺平台的发布，不仅是国产半导体工艺的一次重要跃迁，更为低功耗、高可靠MCU的普及提供了核心支撑。随着物联网与智能化浪潮的持续推进，这一技术突破将加速推动千行百业的数字化转型，助力中国半导体产业在全球竞争中占据更有利位置。