美光推进DDR5内存芯片:2019年底量产
来源:
电子产品世界
2018-10-22
类别:业界动态
142
拍明
原标题:美光推进DDR5内存芯片:2019年底量产
尽管JEDEC(固态存储协会)的DDR5标准尚未定案,Cadence(铿腾)和美光已经开始研发16Gb容量的DDR5产品,并计划在2019年底量产。
事实上,早在今年5月,Cadence就展示了首款DDR5内存验证模组,DRAM来自美光,接口层自研,采用台积电7nm工艺,数据率可达4400MT/s,也就是频率高达4400MHz。
根据美光的最新说法,其16Gb DDR5芯片会在2019年底量产,基于18nm以下工艺,这就意味着,搭载DDR5内存模组的系统最快2020年面世。
按照进度,JEDEC有望年底公布DDR5最终规范,起步频率4800MHz,最高6400MHz。其它规划中的变化还有,电压降低、每通道32/40位(ECC)、总线效率提高、增加预取的Bank Group数量以改善性能等。
由于AMD要支持AM4接口到2020年,看来已经做好技术预留了?
责任编辑:HanFeng
【免责声明】
1、本文内容、数据、图表等来源于网络引用或其他公开资料,版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方将及时处理。
2、本文的引用仅供读者交流学习使用,不涉及商业目的。
3、本文内容仅代表作者观点,拍明芯城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为,是基于自主意愿和独立判断做出的,请读者明确相关结果。
4、如需转载本方拥有版权的文章,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“转载原因”。未经允许私自转载拍明芯城将保留追究其法律责任的权利。
拍明芯城拥有对此声明的最终解释权。
下一篇:
Arm将推端侧运营制成 进军PC市场
标签:
芯片