恒流二极管e562参数


一、E562基础参数与特性
1. 核心电性能参数
参数 | 典型值 | 容差范围 | 关键说明 |
---|---|---|---|
恒定电流 | 560μA | ±5% | 电流值通过激光微调工艺控制,同一批次内离散性<±2%。 |
正向压降 | 4.5V~6.5V | @ 电流 | 电压范围受温度影响(约-2mV/℃),需预留≥7V电源电压余量。 |
动态阻抗 | 20Ω~30Ω | @ 电流 | 抑制电源电压波动能力(如±1V电压波动导致电流变化<±5%)。 |
温度系数 | +0.45%/℃ | 25℃~125℃ | 正温度系数,需与负温漂器件(如JFET)配对使用以补偿。 |
反向击穿电压 | ≥30V | - | 反向耐压能力,实际使用需留1.5倍安全裕量(如≤20V反向电压)。 |
2. 极限参数与可靠性
功耗限制:
最大功耗 =250mW(需通过散热设计确保结温 <150℃)。封装形式:
常见为DO-35(玻璃钝化封装),机械强度高,适合自动化贴装。长期稳定性:
1000小时高温加速老化(125℃)后电流漂移<±1%,MTBF>10万小时(25℃环境)。
二、E562与其他恒流器件对比
1. 与分立方案对比
对比维度 | E562恒流二极管 | BJT+电阻分立方案 | 优势分析 |
---|---|---|---|
电流精度 | ±5%(典型) | ±10%~±20%(受电阻温漂影响) | 无需高精度电阻,电流一致性提升2~4倍。 |
温度稳定性 | +0.45%/℃(需补偿) | +0.5%~+1%/℃(BJT基区调制效应) | 温漂系数降低30%~50%,适合宽温场景。 |
体积与成本 | 单器件(0.1元级) | 需2~3个分立元件(0.2元级) | 节省PCB面积40%,BOM成本降低50%(批量生产时)。 |
可靠性 | 玻璃钝化封装,抗硫化 | 树脂封装易受潮气侵蚀 | 失效率降低1个数量级(参照MIL-HDBK-217F标准)。 |
2. 与集成恒流IC对比
对比维度 | E562恒流二极管 | LM334Z恒流IC | 劣势与优势 |
---|---|---|---|
电流调节范围 | 固定560μA | 1μA~10mA(外接电阻可调) | 无法动态调节,但免去外部分压电阻,简化设计。 |
响应速度 | 纳秒级(PN结电容<1pF) | 微秒级(含运放延迟) | 适合高频脉冲负载(如LED闪烁驱动)。 |
成本 | 单价0.1~0.2元 | 单价0.3~0.5元 | 成本降低50%以上,适合低成本消费电子。 |
三、E562选型与应用关键点
1. 典型应用场景推荐
应用领域 | 电流需求 | 替代方案对比 | E562优势 |
---|---|---|---|
电池均衡电路 | 500μA~1mA | 电阻分压+运放反馈 | 无需运放,节省成本;电流一致性确保均衡精度<±2%。 |
LED背光驱动 | 560μA(固定) | 可调IC(如LM334Z) | 免去外部分压电阻,PCB面积减少30%;纳秒级响应避免LED频闪。 |
传感器偏置 | 500μA~1mA | 高精度恒流源(成本>10元) | 成本降低至0.2元级,电流噪声<10nA(1kHz带宽),满足光电二极管跨阻放大需求。 |
2. 关键设计约束
电源电压下限:
需满足 ,如驱动1kΩ负载时,电源电压需≥6.06V(560μA×1kΩ+5.5V压降)。散热设计:
高功耗场景(如 =12V,负载10kΩ)需计算结温:
( ),建议结温≤125℃。反向保护:
若存在反向电压风险,需在E562前串联肖特基二极管(如1N5817),正向压降<0.3V。
四、避坑指南:E562应用中的5大雷区
“电流超调”陷阱
现象:电源电压突变时电流瞬态超调(如10V→5V跳变,电流波动±15%)。
对策:在E562前增加10μF电解电容滤波,降低电源阻抗。
“高温失效”风险
现象:85℃环境下电流漂移>±3%(超出±5%标称容差)。
对策:选择带“-HT”后缀的耐高温型号(如E562-HT,温漂±1%@125℃),或增加散热铜箔。
“反向击穿”事故
现象:未注意反向电压导致E562永久短路。
对策:严格限制反向电压≤20V,或使用双向TVS二极管钳位。
“并联均流”误区
现象:多只E562并联后电流不均(如2只并联,电流比1.2:0.8)。
对策:并联时需在每只E562前串联10Ω电阻,强制电流分配。
“替代型号”盲选
现象:用未经验证的替代型号(如国产562B)导致批量失效。
对策:优先选择原厂认证替代型号(如E562A),或进行全温区参数验证。
五、E562替代方案与选型推荐
1. 直接替代型号
型号 | 厂商 | 关键差异 | 适用场景 |
---|---|---|---|
CRD560 | Rohm | 温漂±0.5%(更宽范围) | 需宽温(-40℃~125℃)的工业设备。 |
SM560 | Supertex | 动态阻抗15Ω(更低) | 负载波动大的场景(如电机启动电流抑制)。 |
E562A | 同一厂商升级版 | 封装改用SOT-23(贴片兼容) | 需自动化贴装的消费电子(如TWS耳机充电盒)。 |
2. 降本替代方案
国产型号:
如HT562(华天科技),电流精度±8%,温漂±0.6%/℃,成本降低40%,适合对精度要求不高的场景(如玩具LED驱动)。分立方案:
若需更低电流(如100μA),可用2N3904+高精度电阻组合,但需校准电流(成本增加0.1元/通道)。
六、终极结论:E562的选型优先级与替代逻辑
优先使用场景:
成本敏感型:替代高精度恒流IC,节省50%以上成本。
空间受限型:单器件替代分立方案,节省PCB面积40%。
高频响应型:纳秒级响应速度适合脉冲负载(如LED闪烁、激光测距)。
替代逻辑:
电流精度>±5%:直接使用E562。
±2%<精度≤±5%:选择E562A(激光微调版)或CRD560。
精度≤±2%:改用LM334Z+外部分压电阻(成本增加3倍,但精度提升1个数量级)。
核心原则:“以电流精度、温度范围、成本目标为三角约束,优先选择E562的标准型号,仅在极限需求下考虑升级或替代”,避免因过度设计导致成本失控。
责任编辑:Pan
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