一、核心性能参数（直接影响电路设计与可靠性）

1. 恒定电流值（I₀）

• 定义：在恒流区（工作电压范围内）输出的稳定电流值。

• 关键点：

• 标称值：典型范围10μA~100mA（如2DH6为600μA，SM4001为1mA）。

• 离散性：同批次器件I₀差异通常±5%~±10%，需通过分选匹配。

• 温度敏感性：电流温漂系数（α_I）一般为+0.3%~+0.5%/℃，高温下电流增大。

2. 动态阻抗（R_D）

• 定义：恒流区电压变化1V时对应的电流变化率（R_D=ΔV/ΔI）。

• 关键点：

• 典型值：15Ω~30Ω（低电流型号R_D较高，如100μA型号可能达50Ω）。

• 影响：R_D越高，对电源电压波动的抑制能力越强，但并联时电流分配越敏感。

3. 阈值电压（V_TH）

• 定义：CRD进入恒流区的起始电压（类似二极管导通电压）。

• 关键点：

• 典型值：500mV~700mV（如2DH6为600mV±50mV）。

• 离散性：不同器件V_TH差异可能±50mV，导致并联时电流分配不均。

4. 击穿电压（V_BR）

• 定义：CRD可承受的最大反向电压，超过后发生雪崩击穿。

• 关键点：

• 典型值：5V~100V（如SM4001为40V）。

• 保护需求：需确保电源电压+浪涌电压<0.8×V_BR，避免失效。

5. 反向漏电流（I_R）

• 定义：反向偏置时的漏电流（通常在μA级）。

• 关键点：

• 温度敏感性：高温下I_R可能增加10倍，需关注功耗与温升。

二、测试条件与参数关联性（避免误用数据）

1. 关键测试条件

2. 参数波动场景

• 电源电压变化：

• 若V_CR从5V升至10V，I₀变化率ΔI₀/I₀ ≈ (ΔV_CR)/(R_D+R_S)（R_S为串联限流电阻）。

• 温度循环：

• 高温（85℃）下I₀可能增加20%~30%，需预留设计裕量（如按标称I₀的70%选型）。

三、选型关键参数表（典型型号对比）

四、工程化选型指南（基于应用需求）

1. 低电流应用（<1mA）

• 选型重点：

• 优先低R_D型号（如HCR-100的50Ω），降低电源电压波动影响。

• 关注V_TH一致性（如分选±10mV以内），避免并联电流分配偏差。

• 典型场景：

• 光电二极管偏置（需电流噪声<1nA/√Hz）。

• 气体传感器加热电路（恒流精度±2%以内）。

2. 中高电流应用（1mA~100mA）

• 选型重点：

• 选择高V_BR型号（如SM4001的40V），适应电源浪涌。

• 串联限流电阻（R_S≈R_D/N）抑制并联电流不均。

• 典型场景：

• 大功率LED驱动（需电流一致性±5%以内）。

• 电池主动均衡（单只CRD电流1mA~10mA，并联组数<10）。

3. 精密控制应用

• 选型重点：

• 优先温度系数低的型号（如LM334Z的α_I=+0.33%/℃）。

• 结合负温度系数电阻（NTC）补偿电流温漂。

• 典型场景：

• 激光二极管驱动（电流稳定性<±0.1%）。

• 精密恒流源基准（如4~20mA仪表信号源）。

五、关键数据获取渠道

1. 官方数据手册：

• 主流厂商（如TI、ST、ON Semi、Rohm）提供详细参数、测试曲线与应用指南。

2. 第三方测试报告：

• EEVblog、Keysight等平台提供实测数据（如I₀-V_CR特性、温度循环寿命）。

3. 失效分析案例：

• 航天、汽车电子领域公开的CRD失效报告（如击穿电压不足、温漂超标）。

六、选型避坑指南（直接结论）

1. 避免“唯参数论”：

• 参数表中的I₀为典型值，需实际测试分选（如用恒流源+数字万用表筛选±3%以内器件）。

2. 慎用并联：

• 除非必要（如大电流需求），否则优先选择单只高电流型号（如用LM334Z外接电阻实现100mA）。

3. 预留降额：

• 电源电压按0.7×V_BR设计，结温按<85℃控制（加散热片或强制风冷）。

核心原则：“以应用边界定义参数需求，以测试验证替代理论推导”，避免因参数误判导致电路失效。