是的，您说得对。场效应管（FET，Field Effect Transistor）的三个核心电极分别是：漏极（D，Drain）、源极（S，Source）和栅极（G，Gate）。以下是对这三个电极的简要说明：

1. 漏极（D）：

• 漏极是FET的输出电极，电流从这里流出FET。在FET工作时，漏极接收由源极经过栅极控制的导电沟道流过的电流。

2. 源极（S）：

• 源极是FET的输入电极，也是提供载流子（电子或空穴）的电极。在FET中，源极与半导体材料的体部相连，是电流流出的起点。源极与栅极一起，通过栅极电压的变化来控制导电沟道的开启与关闭。

3. 栅极（G）：

• 栅极是FET的控制电极，它并不直接参与电流的传导，而是通过电场来控制源极和漏极之间的导电沟道。栅极与源极和漏极之间通过一层绝缘材料（如二氧化硅）隔开，当栅极上施加电压时，会在绝缘层下方的半导体材料中感应出电荷，从而改变导电沟道的宽度和导电性。

这三个电极共同协作，使得FET能够根据栅极电压的变化来控制源极和漏极之间的电流，从而实现电压控制电流的功能。FET因其低功耗、高输入阻抗和低噪声等特性，在电子电路中得到了广泛应用。