场效应管（FET，Field Effect Transistor）的三个电极分别是栅极（G）、源极（S）和漏极（D）。以下是对这三个电极的图解说明：

电极位置与功能

1. 栅极（G，Gate）：

• 位置：通常位于源极和漏极之间，且与其他两个电极绝缘。

• 功能：控制电极，通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大小。

2. 源极（S，Source）：

• 位置：在FET中，源极通常与栅极相近，是电流输入的一端。

• 功能：为FET提供输入电流，并与栅极一起形成导电沟道。

3. 漏极（D，Drain）：

• 位置：位于源极的另一侧，是电流输出的一端。

• 功能：接收从源极经过导电沟道流过的电流，并将其输出到外部电路。

图解示例

（由于文字描述的限制，无法直接给出图形，但以下描述可以帮助您在脑海中构建场效应管的电极布局）

• 想象一个平面图形，其中栅极位于中间，呈条形或点状，与其他部分绝缘。

• 源极和漏极分别位于栅极的两侧，它们之间通过一条假设的“导电沟道”相连（在FET未工作时，这条沟道并不真正存在，而是由栅极电压控制开启或关闭）。

• 当栅极施加适当的电压时，源极和漏极之间的导电沟道打开，允许电流从源极流向漏极。

注意事项

• 在实际电路中，场效应管的电极布局和形状可能因具体型号和封装形式而有所不同。但无论何种形式，其基本原理和功能都是相同的。

• 在使用场效应管时，应注意其极性（N沟道或P沟道）以及栅极电压的控制范围，以确保电路的正常工作。

综上所述，场效应管的三个电极分别是栅极、源极和漏极，它们各自承担着不同的功能，在电路中共同协作以实现电压控制电流的目的。