MOS驱动器栅极（G）与源极（S）之间并联电容的作用主要体现在以下几个方面：

一、优化栅极信号

并联电容能够优化栅极信号，特别是减少栅极电压的波动。在MOSFET开关过程中，栅极电压的快速变化可能会引发电磁干扰和信号不完整性问题。通过并联电容，可以吸收和释放栅极电压的波动能量，从而稳定栅极信号，确保驱动电路的正常工作。

二、防止误导通

在高速开关电路中，由于漏源电压Vds的快速变化（即高dv/dt），可能会通过栅-漏电容Cgd耦合到栅极电压Vgs，导致栅极电压瞬时上升，从而使MOSFET在关闭的情况下误导通。通过在栅极与源极之间并联电容，可以增大栅源极电容Cgs，从而变相减小栅极电压Vgs的波动幅度，有效防止因高dv/dt引起的误导通问题。

三、提高抗干扰能力

并联电容还可以提高MOSFET电路的抗干扰能力。在开关频率较高的电路中，电磁干扰和噪声可能会对栅极信号产生影响，导致电路性能下降。通过并联电容，可以吸收和过滤掉这些干扰和噪声，从而提高电路的抗干扰能力和信号完整性。

四、减小开关损耗

虽然并联电容在MOSFET开关过程中需要进行充电和放电，这可能会增加一些开关损耗，但适当的并联电容可以优化开关过程中的电荷分布，从而在一定程度上减小开关损耗。然而，需要注意的是，如果并联电容过大，可能会导致充电和放电时间延长，反而增加开关损耗和降低电路性能。因此，在选择并联电容时需要根据具体电路需求进行权衡。

五、潜在风险与注意事项

1. 热失控和爆管风险：并联电容过大可能会导致MOSFET在开关过程中的充电和放电时间延长，从而增加额外的开关损耗并转化为热量。如果散热能力不足，可能会导致MOSFET的结温超过安全范围，最终引发热失控和爆管问题。因此，在设计时需要仔细考虑栅源电容的电容值以及散热能力。

2. 电路稳定性影响：虽然并联电容可以提高电路的稳定性，但过大的电容值也可能导致电路稳定性下降。特别是在高频电路中，过大的并联电容可能会引入额外的相位延迟和频率响应问题。因此，在选择并联电容时需要根据具体电路需求进行权衡和测试。

综上所述，MOS驱动器栅极与源极之间并联电容的作用主要体现在优化栅极信号、防止误导通、提高抗干扰能力以及减小开关损耗等方面。然而，在实际应用中需要注意并联电容的大小以及其对电路性能和稳定性的影响。